[發明專利]一種濾波器的制備方法有效
| 申請號： | 202210924436.4 | 申請日： | 2022-08-03 |
| 公開（公告）號： | CN115001429B | 公開（公告）日： | 2022-11-25 |
| 發明（設計）人： | 繆建民;張金姣;王志宏 | 申請（專利權）人： | 邁感微電子（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 嚴慧 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中國*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 濾波器 制備 方法 | ||
1.一種濾波器的制備方法，其特征在于，包括：
提供第一襯底和第二襯底；
在所述第一襯底的表面形成單晶壓電層；
在所述第一襯底的表面形成單晶壓電層包括：
在所述第一襯底的表面形成過渡層；
在所述過渡層背離所述第一襯底的表面形成單晶壓電層；
在所述單晶壓電層背離所述第一襯底的表面形成第一電極；
在所述第一電極和所述單晶壓電層形成至少一個溝槽，所述溝槽露出所述過渡層背離所述第一襯底的表面；所述溝槽位于相鄰兩個濾波器振子之間；所述溝槽限定出所述濾波器振子；或者，所述溝槽位于相鄰兩個濾波器之間，所述溝槽限定出所述濾波器；
將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合；
去除所述第一襯底；
去除所述第一襯底包括：
通過所述溝槽腐蝕所述過渡層，以去除所述過渡層和所述第一襯底；
在所述單晶壓電層背離所述第一電極的表面形成第二電極。
2.根據權利要求1所述的濾波器的制備方法，其特征在于，
所述過渡層包括氮化鎵層，所述單晶壓電層包括氮化鋁層和/或鋁鈧氮層；
或者，所述過渡層包括氮化鋁層，所述單晶壓電層包括氮化鎵層和/或鋁鈧氮層。
3.根據權利要求1所述的濾波器的制備方法，其特征在于，將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合包括：
在所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面形成第一鍵合層；
在所述第二襯底的表面形成第二鍵合層；
將所述第一鍵合層與所述第二鍵合層鍵合，所述第一鍵合層背離所述第一電極的表面與所述第二鍵合層背離所述第二襯底的表面重合。
4.根據權利要求1所述的濾波器的制備方法，其特征在于，在將所述第一電極背離所述單晶壓電層的表面與所述第二襯底鍵合之前，還包括：
在所述第二襯底形成至少一個空腔。
5.根據權利要求4所述的濾波器的制備方法，其特征在于，所述空腔在第二襯底厚度的剖面的形狀包括梯形、半橢圓形或長方形。
6.根據權利要求1所述的濾波器的制備方法，其特征在于，在所述單晶壓電層背離所述第一襯底的表面形成第一電極之前，還包括：
修整所述單晶壓電層背離所述第一襯底的表面；
在所述單晶壓電層背離所述第一電極的表面形成第二電極之前，還包括：
修整所述單晶壓電層背離所述第一電極的表面。
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