[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210923005.6
• 申請(qǐng)日: 2022-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN115938938A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 北島翔平;河西亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 住友電工光電子器件創(chuàng)新株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/335
• 分類號(hào): H01L21/335;H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

本公開提供一種能確保良好的生產(chǎn)率并且防止刻蝕停止層的腐蝕的半導(dǎo)體裝置的制造方法。半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序：在基板的上表面形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上表面形成刻蝕停止層；在所述基板的下表面形成金屬掩模，所述金屬掩模包括種子膜和鍍膜，并在俯視觀察下在所述刻蝕停止層的內(nèi)側(cè)具備開口部；經(jīng)由所述開口部在所述基板和所述半導(dǎo)體層形成從所述基板的所述下表面到達(dá)所述刻蝕停止層的貫通孔；以及在形成所述貫通孔的工序之后，通過電解液中的陽(yáng)極反應(yīng)來去除所述鍍膜。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)

已知一種半導(dǎo)體裝置，其中，在基板之上形成有半導(dǎo)體層，在半導(dǎo)體層之上形成有金屬制的刻蝕停止層(etching?stopper)，在基板和半導(dǎo)體層形成有到達(dá)刻蝕停止層的貫通孔，在基板的下表面形成有經(jīng)由貫通孔連接于刻蝕停止層的背面電極。在制造這樣的半導(dǎo)體裝置的情況下，在基板的下表面形成金屬掩模來進(jìn)行基板的刻蝕，由此形成貫通孔。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：國(guó)際公開第01/07687號(hào)

專利文獻(xiàn)2：日本特開2019－145546號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3：日本特開2020－17647號(hào)公報(bào)

在半導(dǎo)體層之上除了形成有刻蝕停止層之外還形成有電極。當(dāng)使用相同的材料來同時(shí)形成刻蝕停止層和電極時(shí)，在去除金屬掩模時(shí)，刻蝕停止層容易被腐蝕。刻蝕停止層連接于形成于半導(dǎo)體層的晶體管等半導(dǎo)體元件，因此，當(dāng)刻蝕停止層被腐蝕時(shí)，恐怕會(huì)對(duì)半導(dǎo)體元件的特性造成影響。

通過在基板與半導(dǎo)體層的界面的附近暫時(shí)停止刻蝕，去除金屬膜，之后，使貫通孔到達(dá)刻蝕停止層，能防止刻蝕停止層的腐蝕。然而，如果不將基板的刻蝕速率控制得低，則難以在基板與半導(dǎo)體層的界面的附近停止刻蝕，在降低了基板的刻蝕速率的情況下，刻蝕所花費(fèi)的時(shí)間變長(zhǎng)。此外，通過使用與電極不同的材料來形成刻蝕停止層，能防止刻蝕停止層的腐蝕。然而，在該情況下，需要用于形成刻蝕停止層的工序，生產(chǎn)率會(huì)下降。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于，提供一種能確保良好的生產(chǎn)率并且防止刻蝕停止層的腐蝕的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

本公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法具有以下工序：在基板的上表面形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層的上表面形成刻蝕停止層；在所述基板的下表面形成金屬掩模，所述金屬掩模包括種子膜(seed?film)和鍍膜，并在俯視觀察下在所述刻蝕停止層的內(nèi)側(cè)具備開口部；經(jīng)由所述開口部在所述基板和所述半導(dǎo)體層形成從所述基板的所述下表面到達(dá)所述刻蝕停止層的貫通孔；以及在形成所述貫通孔的工序之后，通過電解液中的陽(yáng)極反應(yīng)來去除所述鍍膜。

發(fā)明效果

根據(jù)本公開，能確保良好的生產(chǎn)率并且防止刻蝕停止層的腐蝕。

附圖說明

圖1是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其一)。

圖2是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其二)。

圖3是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其三)。

圖4是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其四)。

圖5是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其五)。

圖6是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其六)。

圖7是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其七)。

圖8是表示實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的剖視圖(其八)。