[發明專利]半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202210923005.6
• 申請日: 2022-08-02
• 公開（公告）號: CN115938938A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 北島翔平;河西亮
• 申請（專利權）人: 住友電工光電子器件創新株式會社
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335;H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/768
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 呂琳;樸秀玉

1.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在基板的上表面形成半導體層；

在所述半導體層的上表面形成刻蝕停止層；

在所述基板的下表面形成金屬掩模，所述金屬掩模包括種子膜和鍍膜，并在俯視觀察下在所述刻蝕停止層的內側具備開口部；

經由所述開口部在所述基板和所述半導體層形成從所述基板的所述下表面到達所述刻蝕停止層的貫通孔；以及

在形成所述貫通孔的工序之后，通過電解液中的陽極反應來去除所述鍍膜。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在形成所述刻蝕停止層的同時形成柵電極。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

形成所述刻蝕停止層和所述柵電極的工序具有以下工序：形成與所述半導體層肖特基接觸的第一金屬膜。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第一金屬膜是Ni膜。

5.根據權利要求3或4所述的半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在所述第一金屬膜的上表面形成Pd膜；以及

在所述Pd膜的上表面形成Au膜。

6.根據權利要求1至5中任一項所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述基板是SiC基板，

所述半導體層是氮化物半導體層。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在去除所述鍍膜的工序之后，去除所述種子膜。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在去除所述種子膜的工序之后，在所述刻蝕停止層的下表面、所述貫通孔的內壁面以及所述基板的下表面形成導電膜。

9.一種半導體裝置的制造方法，具有以下工序：

在SiC基板的上表面形成氮化物半導體層；

在所述氮化物半導體層的上表面同時形成包括與所述氮化物半導體層肖特基接觸的Ni膜的柵電極和刻蝕停止層；

在所述SiC基板的下表面形成金屬掩模，所述金屬掩模包括種子膜和鍍膜，并在俯視觀察下在所述刻蝕停止層的內側具備開口部；

經由所述開口部在所述SiC基板和所述氮化物半導體層形成從所述SiC基板的所述下表面到達所述刻蝕停止層的貫通孔；

在形成所述貫通孔的工序之后，通過電解液中的陽極反應來去除所述鍍膜；

在去除所述鍍膜的工序之后，去除所述種子膜；以及

在去除所述種子膜的工序之后，在所述刻蝕停止層的下表面、所述貫通孔的內壁面以及所述SiC基板的下表面形成導電膜。