[發(fā)明專利]具水平存取線的自選擇存儲器陣列

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210904958.8
• 申請日: 2019-02-22
• 公開（公告）號: CN115376571A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發(fā)明（設計）人: L·弗拉汀;F·佩里茲;A·皮羅瓦諾;R·L·邁爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C19/38
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本申請案涉及具水平存取線的自選擇存儲器陣列。本發(fā)明描述用于具水平存取線的自選擇存儲器的方法、系統(tǒng)及裝置。存儲器陣列可包含在不同方向上延伸的第一存取線及第二存取線。舉例來說，第一存取線可在第一方向上延伸，且第二存取線可在第二方向上延伸。在每一相交處，可存在多個存儲器單元，且每一多個存儲器單元可與自選擇材料接觸。此外，電介質(zhì)材料可在至少一個方向上定位于第一多個存儲器單元與第二多個存儲器單元之間。每一單元群組(例如第一多個存儲器單元及第二多個存儲器單元)可分別與所述第一存取線及所述第二存取線中的一者接觸。

分案申請的相關信息

本案是分案申請。該分案的母案是申請日為2019年02月22日、申請?zhí)枮?01980019827.8、發(fā)明名稱為“具水平存取線的自選擇存儲器陣列”的發(fā)明專利申請案。

交叉參考

本專利申請案主張弗拉丁(Fratin)等人在2019年2月22日申請的標題為“具水平存取線的自選擇存儲器陣列(SELF-SELECTING MEMORY ARRAY WITH HORIZONTAL ACCESSLINES)”的第PCT/US19/19126號PCT申請案的優(yōu)先權，該PCT申請案主張弗拉丁等人在2019年3月18日申請的標題為“具水平存取線的自選擇存儲器陣列”的第15/925,536號美國專利申請案的優(yōu)先權，所述申請案中的每一者讓與其受讓人，并且所述申請案中的每一者的全部內(nèi)容以引用的方式明確并入本文中。

技術領域

本技術領域涉及具水平存取線的自選擇存儲器陣列。

背景技術

下文大體上涉及形成存儲器陣列且更具體來說，下文涉及具水平存取線的自選擇存儲器陣列。

存儲器裝置廣泛用于將信息存儲于例如計算機、無線通信裝置、攝像機、數(shù)字顯示器及其類似者的各種電子裝置中。通過編程存儲器裝置的不同狀態(tài)來存儲信息。舉例來說，二進制裝置具有兩個狀態(tài)(通常由邏輯“1”或邏輯“0”表示)。在其它系統(tǒng)中，可存儲兩個以上狀態(tài)。為存取存儲信息，電子裝置的組件可讀取或感測存儲器裝置中的存儲狀態(tài)。為存儲信息，電子裝置的組件可寫入或編程存儲器裝置中的狀態(tài)。

存在各種類型的存儲器裝置，其包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步動態(tài)RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、閃存、相變存儲器(PCM)等等。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器(例如FeRAM)可長時間維持其存儲邏輯狀態(tài)，即使缺少外部電源。易失性存儲器裝置(例如DRAM)會隨時間推移損失其存儲狀態(tài)，除非其由外部電源周期性刷新。FeRAM可使用類似于易失性存儲器的裝置架構，但可歸因于使用鐵電電容器作為存儲裝置而具有非易失性性質(zhì)。因此，與其它非易失性及易失性存儲器裝置相比，F(xiàn)eRAM裝置可具有改進性能。

改進存儲器裝置一般可包含增大存儲器單元密度、提高讀取/寫入速度、提高可靠性、增加數(shù)據(jù)保存、減少電力消耗或降低制造成本以及其它指標。存取操作可歸因于位線與多個字線耦合而導致相鄰選定存儲器單元與未選定存儲器單元之間的電壓轉(zhuǎn)移。此遷移可導致與存儲器單元的后續(xù)讀取相關的可靠性降低且在一些例子中可導致數(shù)據(jù)損失。

發(fā)明內(nèi)容

描述一種存儲器裝置。在一些實例中，存儲器裝置可包含：多個第一存取線，其在第一方向上延伸；多個第二存取線，其在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；第一多個存儲器單元，其包括自選擇材料，所述第一多個存儲器單元與所述多個第二存取線的第一存取線接觸；第二多個存儲器單元，其包括所述自選擇材料，所述第二多個存儲器單元與所述多個第二存取線的第二存取線接觸；及電介質(zhì)材料，其介于所述第一多個存儲器單元與所述第二多個存儲器單元之間，所述第一多個存儲器單元及所述第二多個存儲器單元定位于所述第一存取線與所述第二存取線之間。