[發明專利]具水平存取線的自選擇存儲器陣列

在審

• 申請號: 202210904958.8
• 申請日: 2019-02-22
• 公開（公告）號: CN115376571A
• 公開（公告）日: 2022-11-22
• 發明（設計）人: L·弗拉汀;F·佩里茲;A·皮羅瓦諾;R·L·邁爾
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C5/02
• 分類號: G11C5/02;G11C19/38
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種存儲器裝置，其包括：

多個第一存取線；

多個第二存取線；

第一多個存儲器單元，其與所述多個第二存取線中的第一者接觸；

第二多個存儲器單元，其與所述多個第二存取線中的第二者接觸；及

電介質材料，其物理地介于所述第一多個存儲器單元與所述第二多個存儲器單元之間。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第一插塞，其與所述多個第二存取線中的所述第一者的第一端接觸；及

第二插塞，其與所述多個第二存取線中的所述第一者的第二端接觸。

3.根據權利要求2所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第三插塞，其與所述多個第二存取線中的所述第二者的第一端接觸；及

第四插塞，其與所述多個第二存取線中的所述第二者的第二端接觸，其中所述多個第二存取線中的所述第一者與所述多個第二存取線中的所述第二者隔離。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其進一步包括：

第二電介質材料，其定位于所述第一多個存儲器單元中的第一存儲器單元和所述第二多個存儲器單元中的第一存儲器單元的至少一部分上方，其中所述第二電介質材料不同于所述電介質材料。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一多個存儲器單元和所述第二多個存儲器單元位于所述多個第二存取線中的所述第一者與所述多個第二存取線中的所述第二者之間。

6.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一多個存儲器單元中的每一者和所述第二多個存儲器單元中的每一者包括離散自選擇存儲器SSM單元。

7.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中：

所述多個第一存取線的至少一部分在第一方向上延伸；

所述多個第二存取線的至少一部分在第二方向上延伸；及

所述電介質材料的至少一部分在平行于所述多個第一存取線的平面中延伸。

8.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中：

所述多個第一存取線的至少一部分在水平方向上延伸；

所述多個第二存取線的至少一部分在垂直方向上延伸；及

所述電介質材料的至少一部分在平行于所述多個第一存取線的水平面中延伸。

9.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述第一多個存儲器單元中的每一存儲器單元與所述多個第一存取線中的相應存取線接觸；及

所述第二多個存儲器單元中的每一存儲器單元與所述多個第一存取線中的相應存取線接觸。

10.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中所述多個第二存取線中的每一存取線包括至少一個隔離區域。

11.一種形成存儲器裝置的方法，其包括：

形成包括第一電介質材料、第二電介質材料和第三電介質材料的堆疊；

從所述堆疊移除材料以在所述第一電介質材料、所述第二電介質材料和所述第三電介質材料中形成第一多個線；

從所述堆疊移除材料以在所述第一電介質材料中形成第二多個線；

形成多個第一存取線；及

沉積材料以形成與多個第二存取線中的至少一個存取線相鄰的多個存儲器單元，其中所述多個第二存取線與所述材料接觸，且其中所述第一電介質材料物理地介于所述多個存儲器單元的第一子集與所述多個存儲器單元的第二子集之間。

12.根據權利要求11所述的方法，其進一步包括：

形成第一多個插塞，其中所述第一多個插塞中的每一者與所述多個第二存取線中的每一者的第一端相鄰；及

形成第二多個插塞，其中所述第二多個插塞中的每一者與所述多個第二存取線中的每一者的第二端相鄰。