[發(fā)明專利]基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210901101.0
• 申請(qǐng)日: 2022-07-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115316945A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-11-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐濤;嚴(yán)榮國(guó);魏夢(mèng)林;梅竹松
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海長(zhǎng)征醫(yī)院;上海理工大學(xué)
• 主分類號(hào): A61B5/00
• 分類號(hào): A61B5/00;A61B5/1455;A61B5/03
• 代理公司: 上海洞見(jiàn)未來(lái)專利代理有限公司 31467
• 代理人: 苗繪

1.一種基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，包含：

箱體部分、探頭部分、電源適配器以及上位機(jī)系統(tǒng)；

所述探頭部分通過(guò)電導(dǎo)線與所述箱體部分相連，用于進(jìn)行顱腦損傷監(jiān)測(cè)；

所述電源適配器與所述箱體部分、外部的電源相連；

所述上位機(jī)系統(tǒng)與所述箱體部分相連，用于顯示顱腦損傷監(jiān)測(cè)的結(jié)果。

2.如權(quán)利要求1所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述探頭部分包含：探頭主體、兩個(gè)光電傳感器、雙波長(zhǎng)LED燈以及固定組件；

所述探頭主體通過(guò)電導(dǎo)線與所述箱體部分相連，所述探頭主體表面覆蓋有遮光層；

所述兩個(gè)光電傳感器設(shè)置在所述探頭主體上，且通過(guò)電導(dǎo)線與所述箱體部分相連；

所述雙波長(zhǎng)LED燈設(shè)置在所述探頭主體上，且通過(guò)電導(dǎo)線與所述箱體部分相連；

所述固定組件設(shè)置在所述探頭主體上，用于將所述探頭主體固定于受測(cè)者的額頭。

3.如權(quán)利要求2所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述固定組件包含：彈力繩，所述彈力繩設(shè)置在所述探頭主體上，用于將所述探頭主體固定于受測(cè)者的額頭。

4.如權(quán)利要求2所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述遮光層為黑色硅膠。

5.如權(quán)利要求2所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述兩個(gè)光電傳感器以及所述雙波長(zhǎng)LED燈處于同一水平線上。

6.如權(quán)利要求5所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述兩個(gè)光電傳感器的間距為1cm，靠近所述雙波長(zhǎng)LED燈的所述光電傳感器與所述雙波長(zhǎng)LED燈的間距為3cm。

7.如權(quán)利要求2所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述雙波長(zhǎng)LED燈的光由730nm波長(zhǎng)和850nm波長(zhǎng)組成。

8.如權(quán)利要求2所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述箱體部分包含：箱體主體、電路承載板、單片機(jī)、電壓轉(zhuǎn)換模塊、濾波和放大模塊、開(kāi)關(guān)模塊以及恒流源；

所述箱體主體上設(shè)有進(jìn)線口以及適配器連接口；

所述電路承載板設(shè)置在所述箱體主體內(nèi)，所述電路承載板與所述探頭部分、所述上位機(jī)系統(tǒng)相連；

所述單片機(jī)設(shè)置在所述電路承載板上；

所述濾波和放大模塊設(shè)置在所述電路承載板上；

所述電壓轉(zhuǎn)換模塊設(shè)置在所述電路承載板上，且與所述電源適配器、所述單片機(jī)、所述濾波和放大模塊電性連接，用于將所述電源適配器連入的電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換，并將轉(zhuǎn)換后的電壓為所述單片機(jī)、所述濾波和放大模塊進(jìn)行供電；

所述開(kāi)關(guān)模塊設(shè)置在所述承載板上，且與所述單片機(jī)、所述雙波長(zhǎng)LED燈的一端相連，用于控制所述雙波長(zhǎng)LED燈的亮滅；

所述恒流源設(shè)置在所述電路承載板上，且與所述電源適配器、所述雙波長(zhǎng)LED燈的另一端相連。

9.如權(quán)利要求8所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)模塊包含：貼片電阻以及三極管；

所述三極管的基極通過(guò)所述貼片電阻與所述單片機(jī)的一個(gè)輸出端口相連，所述三極管的發(fā)射極接地，所述三極管的集電極與所述雙波長(zhǎng)LED燈的一端相連。

10.如權(quán)利要求9所述基于近紅外光譜技術(shù)的顱腦損傷監(jiān)測(cè)裝置，其特征在于，所述三極管為NPN三極管。