[發明專利]體聲波諧振器和體聲波濾波器

有效

• 申請號: 202210895844.1
• 申請日: 2022-07-26
• 公開（公告）號: CN115133902B
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 王健
• 申請（專利權）人: 深圳新聲半導體有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/05;H03H9/58;H03H9/56
• 代理公司: 北京康盛知識產權代理有限公司 11331
• 代理人: 武旭妹

1.一種體聲波諧振器，其特征在于，包括：

基板；

支撐層，設置在所述基板上，包括多邊形空腔，所述空腔在與從所述基板到所述支撐層的第一方向相交的平面上具有三條以上的邊；

壓電層，設置在所述支撐層上；

底部電極，設置在所述壓電層下方，與所述空腔部分重疊，并延伸穿過所述空腔的第一側；

頂部電極，設置在所述壓電層上方，與所述空腔部分重疊，并延伸穿過所述空腔的第二側；

釋放孔，在所述壓電層中形成并與所述空腔部分重疊，包括以下至少一種：

第一釋放孔，位于所述空腔的不同于第一側和第二側的一側；

第二釋放孔，位于所述空腔兩側相交處的空腔頂點附近，且不與所述底部電極或所述頂部電極重疊；

第三釋放孔，位于所述空腔的第一側附近，并與所述底部電極重疊；或者，

第四釋放孔，鄰近所述空腔的第二側，并與所述頂部電極重疊；

接合層，設置于所述基板與所述支撐層之間，且包括突出結構；和，

覆蓋所述接合層的邊界層；

其中，所述邊界層與所述接合層的突出結構構成圍繞所述空腔的雙壁邊界結構。

2.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述底部電極、所述壓電層和所述頂部電極的相互重疊的部分構成有源區；

所述雙壁邊界結構包括至少一個遠離所述有源區的突起，并且至少一釋放孔位于至少一突起的旁邊。

3.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述接合層由用于接合所述基板和所述邊界層的SiO₂形成。

4.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述邊界層由SiN、AlN、多晶硅、非晶硅或這些材料中的兩種或兩種以上的堆疊組合形成。

5.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述雙壁邊界結構連接到所述壓電層或所述底部電極。

6.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述體聲波諧振器包括所述第三釋放孔，所述底部電極包括與所述第三釋放孔重疊的開口，并且所述開口的直徑大于所述第三釋放孔的直徑。

7.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述體聲波諧振器包括所述第四釋放孔，所述頂部電極包括與所述第四釋放孔重疊的開口，并且所述開口的直徑大于所述第四釋放孔的直徑。

8.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述支撐層由SiO₂形成。

9.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其特征在于，所述基板由Si、玻璃、SiC、藍寶石Al₂O₃或GaN形成。