[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210893965.2 | 申請日: | 2022-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN115312537A | 公開(公告)日: | 2022-11-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王昕童 | 申請(專利權(quán))人: | 廣州華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 高爽 |
| 地址: | 510700 廣東省廣州市黃埔區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陣列 及其 制備 方法 顯示 面板 | ||
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制備方法、顯示面板,制備方法包括:提供一玻璃襯底;在玻璃襯底上形成柵極金屬層,玻璃襯底和柵極金屬層表面分布有多個含氧基團,含氧基團的結(jié)構(gòu)通式為“?O?”;在柵極金屬層上形成柵極絕緣層,含氧基團與柵極絕緣層中的硅原子通過化學(xué)鍵結(jié)合形成硅氧基團。通過對玻璃襯底和柵極金屬層進行表面處理,利用含氧基團與柵極絕緣層中的硅原子通過化學(xué)鍵結(jié)合形成硅氧基團,用這種化學(xué)鍵作用能夠增強柵極絕緣層與柵極金屬層和玻璃襯底之間的附著力,從而改善在進行拉拔力測試接著力時,因附著力差造成的柵極絕緣層出現(xiàn)剝離的問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。
背景技術(shù)
近年來,超窄邊框顯示器越來越受到關(guān)注。雖然市場對超窄邊框顯示器的品質(zhì)要求逐漸提高,但是顯示器接著力偏低的問題一直沒有得到充分的解決。超窄邊框顯示器中位于邊緣區(qū)域的金屬線的布置相較于普通顯示器更為密集,這會導(dǎo)致邊緣區(qū)域的柵極絕緣層更多地是與柵極金屬層接觸。由于柵極絕緣層與柵極金屬層之間的接觸屬于分子間作用力,柵極絕緣層與玻璃襯底之間的接觸為化學(xué)鍵,因此,柵極絕緣層與玻璃襯底之間具有更強的接著力,在超窄邊框顯示器在進行拉拔力測試接著力時,經(jīng)常出現(xiàn)因柵極絕緣層剝離而導(dǎo)致的接著力問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制備方法、顯示面板,以解決現(xiàn)有的陣列基板在進行拉拔力測試接著力時,出現(xiàn)因柵極絕緣層剝離的技術(shù)問題。
為解決上述問題,本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提供一種陣列基板的制備方法,包括以下步驟:
提供一玻璃襯底;
在所述玻璃襯底上形成柵極金屬層,所述玻璃襯底和所述柵極金屬層表面分布有多個含氧基團,所述含氧基團的結(jié)構(gòu)通式為“-O-”;以及
在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層,所述含氧基團與所述柵極絕緣層中的硅原子通過化學(xué)鍵結(jié)合形成硅氧基團。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,所述在所述玻璃襯底上形成柵極金屬層的步驟包括:
將至少一種含氧化合物溶于水洗試劑中;以及
采用所述水洗試劑對所述玻璃襯底和所述柵極金屬層進行水洗清潔,在所述柵極金屬層和所述玻璃襯底表面形成多個所述含氧基團。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,所述在所述柵極金屬層上形成柵極絕緣層的步驟包括:
提供一無機溶液;
將所述無機溶液形成于所述玻璃襯底和所述柵極金屬層表面;
對所述陣列基板進行加熱處理,所述含氧化合物發(fā)生開環(huán)反應(yīng),得到多個所述含氧基團,所述含氧基團與所述柵極絕緣層中的硅原子通過化學(xué)鍵結(jié)合形成硅氧基團;以及
冷卻至室溫,得到所述柵極絕緣層。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,在所述提供一無機溶液的步驟之后,所述制備方法還包括:
將至少一種所述含氧化合物溶于無機溶液中,攪拌均勻。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,所述含氧化合物包括環(huán)氧化合物和呋喃化合物中的其中一種。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,所述含氧化合物中的所述含氧基團的質(zhì)量分數(shù)范圍為2.5%~3%。
根據(jù)本發(fā)明提供的陣列基板的制備方法,在形成所述柵極金屬層的步驟之前,所述制備方法還包括:
采用臭氧清洗機對所述玻璃襯底進行清洗,在所述玻璃襯底表面形成多個所述含氧基團;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





