[發(fā)明專利]測量設備、測量方法、基板處理裝置及產品制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210889218.1 | 申請日: | 2022-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN115685691A | 公開(公告)日: | 2023-02-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 山口涉 | 申請(專利權)人: | 佳能株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;H01L21/66;H01L21/67;G01B11/00 |
| 代理公司: | 北京怡豐知識產權代理有限公司 11293 | 代理人: | 遲軍;齊文文 |
| 地址: | 日本東京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測量 設備 測量方法 處理 裝置 產品 制造 方法 | ||
本發(fā)明涉及測量設備、測量方法、基板處理裝置及產品制造方法。用于測量圖案的位置的測量設備包括:波長可變單元,其被構造為,根據(jù)所述第一光入射的入射位置使所述第一光的光譜變化以使所述第一光能夠通過;以及移動單元,其被構造為,通過移動所述波長可變單元來改變所述入射位置。所述波長可變單元移動到基于波長特性信息和強度特性信息的位置,所述波長特性信息表示所述波長可變單元的位置與透過所述波長可變單元的所述第一光的波長之間的關系,所述強度特性信息表示所述波長可變單元的位置與來自用透過所述波長可變單元的所述第一光照射的所述圖案的所述第二光的強度之間的關系。
技術領域
本發(fā)明涉及測量設備、測量方法、基板處理裝置及產品制造方法。
背景技術
在制造諸如半導體器件、微機電系統(tǒng)(MEMS)、濾色器和平板顯示器的產品時,在基板上形成的圖案正在變得越來越微型化,并且對圖案尺寸精度改進的需求在增加。
因此,要求處理基板的基板處理裝置高精度地測量形成有圖案的基板上的位置。這種基板處理裝置的示例包括曝光裝置,該曝光裝置使基板曝光以將圖案形成到基板上。在該曝光裝置中,通過使用經由投影光學系統(tǒng)發(fā)射的曝光光(exposure light)在基板上的預定位置處形成圖像并移動放置基板的載臺,來將圖案形成到基板上。為了調整要形成圖案的基板上的預定位置與曝光光之間的相對位置,對基板上的圖案進行測量的精度以及對在基板上的不同層中形成的圖案之間的相對位置進行測量的精度變得非常重要。
作為對在基板上形成的圖案(下面將簡稱為“圖案”)的位置進行測量的方法,存在如下方法:照射圖案并檢測由圖案反射的光。作為更精確地測量圖案的方法,存在如下方法:根據(jù)圖案和圖案周圍部分的物理特性和光學特性來選擇用于照射圖案的光的波長。形成圖案的材料的物理特性和圖案的形狀根據(jù)處理基板的步驟而變化。因而,通過用具有根據(jù)處理基板的步驟而選擇的波長的光來照射圖案,從圖案反射的光的檢測信號的強度會增大,檢測信號的誤差會減小。這改進了對圖案位置進行測量的精度。
日本特許第6568041號公報討論了對樣本的圖像進行拍攝的攝像系統(tǒng)。在使要發(fā)射到樣本上的光的波長變化的同時,攝像系統(tǒng)與波長變化相同步地拍攝樣本的圖像。日本特許第6568041號公報還討論了,該攝像系統(tǒng)中包括的光源設備通過驅動濾色器來使要通過該濾色器發(fā)射到樣本上的光的波長變化。
在日本特許第6568041號公報討論的技術中,在待驅動的濾色器的位置從目標位置偏移的情況下,要通過濾色器發(fā)射到樣本上的光的波長會出現(xiàn)誤差。這可能導致具有適合于拍攝樣本圖像的波長的光未能被發(fā)射到樣本上。
發(fā)明內容
本發(fā)明旨在能夠增大光的檢測信號的強度并且減小檢測信號的誤差的測量設備、測量方法、基板處理裝置以及產品制造方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,用于通過用第一光照射圖案并檢測來自圖案的第二光來測量圖案的位置的測量設備包括:波長可變單元,其被構造為,根據(jù)所述第一光入射的入射位置使所述第一光的光譜變化以使所述第一光能夠通過;以及移動單元,其被構造為,通過移動所述波長可變單元來改變所述入射位置。所述波長可變單元移動到基于波長特性信息和強度特性信息的位置,所述波長特性信息表示所述波長可變單元的位置與透過所述波長可變單元的所述第一光的波長之間的關系,所述強度特性信息表示所述波長可變單元的位置與來自用透過所述波長可變單元的所述第一光照射的所述圖案的所述第二光的強度之間的關系。
本發(fā)明的進一步的特征將從以下參照附圖對示例實施例的描述中變得清晰。
附圖說明
圖1A、圖1B、圖1C和圖1D是示出根據(jù)第一示例實施例的測量設備的圖。
圖2A、圖2B和圖2C是示出根據(jù)第一示例實施例的測量方法的圖。
圖3A、圖3B、圖3C、圖3D和圖3E是示出根據(jù)第二示例實施例的測量設備和測量方法的圖。
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