[發明專利]半導體裝置的模擬方法、模擬裝置、模擬程序產品及數據結構在審
| 申請號: | 202210888697.5 | 申請日: | 2022-07-27 |
| 公開(公告)號: | CN115935869A | 公開(公告)日: | 2023-04-07 |
| 發明(設計)人: | 山本洋;長谷川光平;原琢磨 | 申請(專利權)人: | 株式會社東芝;東芝電子元件及存儲裝置株式會社 |
| 主分類號: | G06F30/3308 | 分類號: | G06F30/3308;H01L29/06;H01L29/40;H01L29/41;H01L29/78 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 徐殿軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 裝置 模擬 方法 程序 產品 數據結構 | ||
1.一種半導體裝置的模擬方法,所述半導體裝置包含:第一電極;第二電極;配置于所述第一電極與所述第二電極之間的半導體部分;配置于所述半導體部分內的絕緣部件;配置于所述絕緣部件內的第三電極;以及第四電極,其在所述絕緣部件內配置于所述第一電極與所述第三電極之間,所述半導體部分包含:與所述第一電極連接的第一導電型的第一半導體層;與所述第二電極連接的第一導電型的第二半導體層;以及第二導電型的第三半導體層,其與所述第一半導體層及所述第二半導體層相接,
所述半導體裝置的模擬方法的特征在于,
使連接在所述第二電極與所述第四電極之間的第一電阻的值根據所述第一電極與所述第二電極之間的第一電壓的值而變化。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
所述第一電壓的值越高,則使所述第一電阻的值越高。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
利用包含所述第一電壓的算式來計算所述第一電阻的值。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
所述算式是二次式。
5.根據權利要求3所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
所述算式包含激活函數。
6.根據權利要求1所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
參照包含所述第一電壓的值與所述第一電阻的值的對應關系在內的數據結構,獲取與所述第一電壓的值對應的所述第一電阻的值。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
假定如下等效電路,該等效電路包含:連接在所述第一電極與所述第二電極之間的第一電容;連接在所述第一電極與所述第三電極之間的第二電容;連接在所述第二電極與所述第三電極之間的第三電容;第二電阻,連接在所述第二電容與所述第三電容的第一連接點和所述第三電極之間;與所述第一電極連接的第四電容;與所述第一連接點連接的第五電容;以及所述第一電阻,連接在所述第四電容與所述第五電容的第二連接點和所述第二電極之間。
8.根據權利要求7所述的半導體裝置的模擬方法,其特征在于,
所述第一電壓越高,則所述第一電容越小。
9.一種半導體裝置的模擬裝置,所述半導體裝置包含:第一電極;第二電極;配置于所述第一電極與所述第二電極之間的半導體部分;配置于所述半導體部分內的絕緣部件;配置于所述絕緣部件內的第三電極;以及第四電極,在所述絕緣部件內配置于所述第一電極與所述第三電極之間,所述半導體部分包含:與所述第一電極連接的第一導電型的第一半導體層;與所述第二電極連接的第一導電型的第二半導體層;以及第二導電型的第三半導體層,與所述第一半導體層及所述第二半導體層相接,
所述半導體裝置的模擬裝置的特征在于,
使連接在所述第二電極與所述第四電極之間的第一電阻的值根據所述第一電極與所述第二電極之間的第一電壓的值而變化。
10.一種半導體裝置的模擬程序產品,所述半導體裝置包含:第一電極;第二電極;配置于所述第一電極與所述第二電極之間的半導體部分;配置于所述半導體部分內的絕緣部件;配置于所述絕緣部件內的第三電極;以及第四電極,在所述絕緣部件內配置于所述第一電極與所述第三電極之間,所述半導體部分包含:與所述第一電極連接的第一導電型的第一半導體層;與所述第二電極連接的第一導電型的第二半導體層;以及第二導電型的第三半導體層,與所述第一半導體層及所述第二半導體層相接,
所述半導體裝置的模擬程序產品的特征在于,
使計算機基于所述第一電極與所述第二電極之間的第一電壓來獲取連接在所述第二電極與所述第四電極之間的第一電阻的值。
11.一種數據結構,用于半導體裝置的模擬,所述半導體裝置包含:第一電極;第二電極;配置于所述第一電極與所述第二電極之間的半導體部分;配置于所述半導體部分內的絕緣部件;配置于所述絕緣部件內的第三電極;以及第四電極,在所述絕緣部件內配置于所述第一電極與所述第三電極之間,所述半導體部分包含:與所述第一電極連接的第一導電型的第一半導體層;與所述第二電極連接的第一導電型的第二半導體層;以及第二導電型的第三半導體層,與所述第一半導體層及所述第二半導體層相接,
所述數據結構的特征在于,具備:
所述第一電極與所述第二電極之間的第一電壓的值;以及
與所述第一電壓的值對應的、連接在所述第二電極與所述第四電極之間的第一電阻的值。
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