[發明專利]具有整合去耦合特征以及對準特征的半導體元件

在審

• 申請號: 202210877360.4
• 申請日: 2022-07-25
• 公開（公告）號: CN116314133A
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 黃則堯
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H10B80/00;H01L21/60;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 黃艷

1.一種半導體元件，包括：

一第一晶圓，包括：

一第一基底；以及

多個第一對準標記，設置在該基底上且相互平行；以及

一去耦合特征，設置在位在其中一個第一對準標記的介電堆疊中并具有一瓶形輪廓，其中該去耦合特征包括一多孔低介電常數材料；

一第二晶圓，設置在該第一晶圓上，并包括：

多個第二對準標記，設置在該多個第一對準標記上；

其中在頂視圖中，該多個第二對準標記平行于該多個第一對準標記設置，且鄰近該多個第一對準標記設置；

其中該多個第一對準標記與該多個第二對準標記包括一熒光材料；

其中該多個第一對準標記與該多個第二對準標記一起配置成一第一組對準標記。

2.如權利要求1所述的半導體元件，其中該熒光材料包括偶氮苯。

3.如權利要求2所述的半導體元件，還包括一第二組對準標記，沿一第一方向與該第一組對準標記分隔開；其中該第一組對準標記沿一第二方向延伸，該第二方向垂直于該第一方向，且該第二組對準標記沿著該第一方向延伸。

4.如權利要求3所述的半導體元件，還包括一第三組對準標記，沿該第二方向而與該第一組對準標記分隔開；其中該第三組對準標記沿該第一方向延伸。

5.如權利要求4所述的半導體元件，還包括一第四組對準標記，沿一方向與該第一組對準標記分隔開，該方向相對該第一方向與該第二方向傾斜；其中該第四組對準標記沿該第二方向延伸。

6.如權利要求4所述的半導體元件，還包括一第五組對準標記，沿一方向而與該第一組對準標記分隔開，該方向相對于該第一方向與該第二方向傾斜；其中該第五組對準標記沿該第一方向延伸。

7.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一晶圓包括多個第一導電特征，垂直地圍繞該多個第一對準標記設置。

8.如權利要求7所述的半導體元件，其中該第一晶圓包括一第一下襯墊，設置在該多個第一導電特征與該多個第一對準標記之間。

9.如權利要求8所述的半導體元件，其中該第一晶圓包括一第一上襯墊，設置在該多個第一對準標記上以及在該第一下襯墊上。

10.如權利要求9所述的半導體元件，其中該第二晶圓包括一第二上襯墊，設置在該多個第二對準標記與該第一上襯墊之間。

11.如權利要求10所述的半導體元件，其中該第二晶圓包括多個第二導電特征，垂直地圍繞該多個第二對準標記以及設置在該第二上襯墊上。

12.如權利要求11所述的半導體元件，其中該第二晶圓包括一第二下襯墊，設置在該多個第二對準標記與該多個第二導電特征之間，以及在該多個第二導電特征與該第二上襯墊之間。

13.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一晶圓配置成多個邏輯芯片，且該第二晶圓配置成多個存儲器芯片。

14.如權利要求2所述的半導體元件，其中該第一晶圓配置成多個存儲器芯片，且該第二晶圓配置成多個存儲器芯片。

15.如權利要求11所述的半導體元件，其中該介電堆疊包括一第一介電層、一第二介電層、一中間介電層、一第三介電層以及一第四介電層，該第一介電層設置在該基底上，該第二介電層設置在該第一介電層上，該中間介電層設置在該第二介電層上，該第三介電層設置在該中間介電層上，該第四介電層設置在該第三介電層上，且該多個第二導電特征以及該去耦合特征設置在該中間介電層中。

16.如權利要求15所述的半導體元件，其中該對準標記沿著該第四介電層與該第三介電層設置，且設置在該去耦合特征上。