[發明專利]射頻芯片RF-HTOL老化實驗系統

在審

• 申請號: 202210877122.3
• 申請日: 2022-07-25
• 公開（公告）號: CN115113025A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 李浩;李振剛
• 申請（專利權）人: 北京唯捷創芯精測科技有限責任公司
• 主分類號: G01R31/28
• 分類號: G01R31/28
• 代理公司: 北京思創大成知識產權代理有限公司 11614
• 代理人: 張立君

本發明公開了一種射頻芯片RF?HTOL老化實驗系統，包括：射頻信號源模塊、分路放大傳輸模塊和接收測試模塊；射頻信號源模塊用于單路輸出設定頻率和功率的第一射頻信號；分路放大傳輸模塊用于將第一射頻信號進行放大并輸出多路第二射頻信號；接收測試模塊設置于加熱裝置內，加熱裝置用于為射頻芯片提供老化測試所需的密閉環境和溫度；接收測試模塊用于安裝多個待測試的射頻芯片，以及用于將接收的每路第二射頻信號轉換為多路第三射頻信號，并將每路第三射頻信號輸入至一個射頻芯片，以進行RF?HTOL老化測試。本發明能夠提高射頻芯片的測試效率，滿足多種不同類型芯片的批量射頻高溫壽命老化測試。

技術領域

本發明屬于集成電路芯片測試領域，更具體地，涉及一種射頻芯片RF-HTOL老化實驗系統。

背景技術

在面向集成電路的芯片封測領域，需要對芯片產品進行可靠性實驗，可靠性試驗是為了解、評價、分析和提高產品的可靠性而進行的各種試驗的總稱?？煽啃栽囼灥哪康氖?發現產品在設計、材料和工藝等方面的各種缺陷，經分析和改進，使產品可靠性逐步得到增長，最終達到預定的可靠性水平；為改善產品的戰備完好性、提高任務成功率、減少維修保障費用提供信息；確認是否符合規定的可靠性定量要求。

目前公司所有射頻芯片都需要做可靠性試驗，可靠性試驗的項目有多種，其中針對射頻芯片的RF-HTOL(Radio Frequency-High Temperature Operation Life，射頻高溫運行壽命)老化試驗又是重中之重，是一個非常關鍵的可靠性測試項目,從中可以得到很多產品的信息,比如早期失效率和壽命分布等。

RF-HTOL老化試驗是測試射頻芯片在射頻工作條件下的高溫高壓工作的耐受力，其實驗環境為結溫125℃，模擬射頻芯片正常工作的duty cycle(占空比)模式，且輸入端加RF信號，輸出端加50ohm負載。試驗時長需要1000小時，試驗環境密閉。

傳統方案一是將信號源的輸出的信號通過一個高性能、大體積的功率放大儀器進行信號功率放大，然后再經過功分器將信號分路給待測芯片。由于只有一級放大器，且信號經過功分器有損耗，所以功分器的路數不能太多或者級聯程度不能太高，這就導致一次性所能測試的射頻芯片不會太多，測試效率低下，并且此方案對功率放大器的性能要求很高，儀器價格很高，提高了成本，其次，儀器所支持的帶寬小，適用性差。

傳統方案二是將信號源的輸出的信號通過一個功率放大器進行信號功率放大，然后再經過射頻開關將信號分別給待測芯片，系統通過一個專門的控制器控制射頻開關狀態。此方案雖然對PA的性能要求沒有方案一的要求高，可以節省一些成本，但是此方案由于是用控制器控制射頻開關通路狀態，每個時間點只有一條通路是導通狀態，將射頻信號分時的傳輸給待測芯片，所以其每個待測芯片所接收到的射頻信號不是實時的、同步的，而是間歇性的，導致測試時間長、效率低。

發明內容

本發明的目的是提出一種射頻芯片RF-HTOL老化實驗系統，實現提高射頻芯片的測試效率，滿足多種不同類型芯片的批量高溫壽命老化測試。

為實現上述目的，本發明提出了一種射頻芯片RF-HTOL老化實驗系統，包括：射頻信號源模塊、分路放大傳輸模塊和接收測試模塊；

所述射頻信號源模塊用于單路輸出設定頻率和設定功率的第一射頻信號；

所述分路放大傳輸模塊包括第一輸入端口和多個第一輸出端口，所述射頻信號源的輸出端與所述分路放大傳輸模塊的輸入端口連接，所述分路放大傳輸模塊用于將所述第一射頻信號進行放大并輸出多路第二射頻信號；

所述接收測試模塊設置于加熱裝置內，所述加熱裝置用于為所述射頻芯片提供老化測試所需的密閉環境和溫度；

所述接收測試模塊包括多個第二輸入端口，每個所述第二輸入端口與一個所述第一輸出端口連接，所述接收測試模塊用于安裝多個待測試的射頻芯片，以及用于將接收的每路第二射頻信號轉換為多路第三射頻信號，并將每路所述第三射頻信號輸入至一個射頻芯片，以進行老化測試。