[發(fā)明專利]操作存儲器件的方法及執(zhí)行該方法的存儲器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210867629.0
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN115729342A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸東延;樸泳宰;金衡辰;吳凜;崔軫湧
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F1/3234
• 分類號: G06F1/3234
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;鄧思思

提供了一種操作存儲器件的方法及執(zhí)行該方法的存儲器件。在操作存儲器件的方法中，接收使得所述存儲器件進入空閑模式的第一命令。基于與所述存儲器件相關(guān)聯(lián)的工藝、電壓和溫度(PVT)變化來調(diào)整參考時間間隔。所述參考時間間隔用于確定功率控制操作的開始時間點，所述功率控制操作用于降低所述存儲器件的功耗。基于所述第一命令來內(nèi)部地測量維持所述空閑模式的第一時間間隔。響應(yīng)于所述第一時間間隔比所述參考時間間隔長來執(zhí)行所述功率控制操作。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2021年9月1日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局(KIPO)提交的韓國專利申請No.10-2021-0116346的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用整體合并于此。

技術(shù)領(lǐng)域

示例性實施例總體上涉及半導(dǎo)體集成電路，更具體地涉及操作存儲器件的方法和執(zhí)行該方法的存儲器件。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲器件通常可以依據(jù)其在斷電時是否保持所存儲的數(shù)據(jù)而被劃分成兩類。這兩類被稱為在斷電時丟失所存儲的數(shù)據(jù)的易失性存儲器件以及在斷電時保持所存儲的數(shù)據(jù)的非易失性存儲器件。近來，可以在各種移動系統(tǒng)中采用易失性存儲器件。因為降低移動系統(tǒng)的功耗較為重要，所以研究者也針對降低移動系統(tǒng)中包括的易失性存儲器件的功耗開展了各種研究項目。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的至少一個示例性實施例提供一種操作存儲器件的方法，所述方法能夠在諸如掉電模式、休眠模式等空閑模式下高效地降低功耗。

本公開的至少一個示例性實施例提供一種存儲器件，所述存儲器件執(zhí)行操作所述存儲器件的方法。

根據(jù)示例性實施例，在操作存儲器件的方法中，接收使得所述存儲器件進入空閑模式的第一命令。基于與所述存儲器件相關(guān)聯(lián)的工藝、電壓和溫度(PVT)變化來調(diào)整參考時間間隔。所述參考時間間隔用于確定功率控制操作的開始時間點，所述功率控制操作用于降低所述存儲器件的功耗。基于所述第一命令來內(nèi)部地測量維持所述空閑模式的第一時間間隔。響應(yīng)于所述第一時間間隔比所述參考時間間隔長來執(zhí)行所述功率控制操作。

根據(jù)示例性實施例，一種存儲器件包括命令譯碼器、定時器、參考時間間隔控制電路、功率控制電路和邏輯塊。所述命令譯碼器接收使得所述存儲器件進入空閑模式的第一命令。所述定時器基于所述第一命令來內(nèi)部地測量維持所述空閑模式的第一時間間隔。所述參考時間間隔控制電路基于與所述存儲器件相關(guān)聯(lián)的工藝、電壓和溫度(PVT)變化來調(diào)整參考時間間隔。所述參考時間間隔用于確定功率控制操作的開始時間點，所述功率控制操作用于降低所述存儲器件的功耗。所述功率控制電路響應(yīng)于所述第一時間間隔比所述參考時間間隔長來執(zhí)行所述功率控制操作。所述邏輯塊的功耗通過所述功率控制操作被降低。

根據(jù)示例性實施例，在操作存儲器件的方法中，接收使得所述存儲器件進入空閑模式的第一命令，并且基于所述第一命令來生成功率控制使能信號。基于與所述存儲器件相關(guān)聯(lián)的工藝、電壓和溫度(PVT)變化來調(diào)整參考時間間隔。所述參考時間間隔用于確定功率控制操作的開始時間點，所述功率控制操作用于降低所述存儲器件的功耗。使用定時器來內(nèi)部地測量維持所述空閑模式的第一時間間隔，所述定時器基于所述功率控制使能信號而被激活。響應(yīng)于所述第一時間間隔比所述參考時間間隔長，使用功率控制電路來執(zhí)行所述功率控制操作，所述功率控制電路基于所述功率控制使能信號而被激活。響應(yīng)于在執(zhí)行了所述功率控制操作之后所述存儲器件接收到使得所述存儲器件退出所述空閑模式的第二命令，所述功率控制操作終止并且退出所述空閑模式。響應(yīng)于在所述第一時間間隔變得比所述參考時間間隔長之前所述存儲器件接收到所述第二命令，退出所述空閑模式而不執(zhí)行所述功率控制操作。當(dāng)調(diào)整所述參考時間間隔時，基于所述存儲器件中包括的多個晶體管的特性來設(shè)置所述參考時間間隔。所述多個晶體管的特性是在制造所述存儲器件時確定的。基于所述存儲器件的工作電壓來設(shè)置所述參考時間間隔。基于所述存儲器件的工作溫度來設(shè)置所述參考時間間隔。當(dāng)執(zhí)行所述功率控制操作時，執(zhí)行將施加到所述存儲器件的電源電壓阻斷的電源門控操作。執(zhí)行調(diào)整施加到所述多個晶體管的至少一個體偏置電壓的自適應(yīng)體偏置操作。