[發明專利]操作存儲器件的方法及執行該方法的存儲器件

在審

• 申請號: 202210867629.0
• 申請日: 2022-07-22
• 公開（公告）號: CN115729342A
• 公開（公告）日: 2023-03-03
• 發明（設計）人: 樸東延;樸泳宰;金衡辰;吳凜;崔軫湧
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F1/3234
• 分類號: G06F1/3234
• 代理公司: 北京市立方律師事務所 11330
• 代理人: 李娜;鄧思思

1.一種操作存儲器件的方法，所述方法包括：

接收使得所述存儲器件進入空閑模式的第一命令；

基于與所述存儲器件相關聯的工藝、電壓和溫度變化來調整參考時間間隔，所述參考時間間隔用于確定功率控制操作的開始時間點，所述功率控制操作用于降低所述存儲器件的功耗；

基于所述第一命令來內部地測量維持所述空閑模式的第一時間間隔；以及

響應于所述第一時間間隔比所述參考時間間隔長來執行所述功率控制操作。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，調整所述參考時間間隔包括：

基于所述存儲器件中包括的多個晶體管的特性來設置所述參考時間間隔，所述多個晶體管的特性是在制造所述存儲器件時確定的。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，調整所述參考時間間隔包括：

基于所述存儲器件的工作電壓來設置所述參考時間間隔。

4.根據權利要求3所述的方法，其中，基于所述存儲器件的工作電壓設置所述參考時間間隔包括：

隨著所述存儲器件的工作電壓增加而減小所述參考時間間隔；以及

隨著所述存儲器件的工作電壓減小而增加所述參考時間間隔。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，調整所述參考時間間隔包括：

基于所述存儲器件的工作溫度來設置所述參考時間間隔。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，基于所述存儲器件的工作溫度來設置所述參考時間間隔包括：

隨著所述存儲器件的工作溫度升高而減小所述參考時間間隔；以及

隨著所述存儲器件的工作溫度降低而增加所述參考時間間隔。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，執行所述功率控制操作包括：

執行將施加到所述存儲器件的電源電壓阻斷的電源門控操作。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，執行所述電源門控操作包括：

在所述第一時間間隔變得比所述參考時間間隔長的第一時間點生成電源門控控制信號；以及

基于所述電源門控控制信號阻斷向所述存儲器件施加所述電源電壓的電力路徑。

9.根據權利要求7所述的方法，其中，執行所述功率控制操作還包括：

執行自適應體偏置操作，所述自適應體偏置操作調整施加到所述存儲器件中包括的至少一個晶體管的至少一個體偏置電壓。

10.根據權利要求9所述的方法，其中，所述至少一個體偏置電壓被改變以增加所述至少一個晶體管的閾值電壓。

11.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述至少一個晶體管包括p型金屬氧化物半導體晶體管，

所述至少一個體偏置電壓包括施加到所述p型金屬氧化物半導體晶體管的第一體偏置電壓，并且

執行所述自適應體偏置操作包括：

增加所述第一體偏置電壓的電壓電平。

12.根據權利要求9所述的方法，其中：

所述至少一個晶體管包括n型金屬氧化物半導體晶體管，

所述至少一個體偏置電壓包括施加到所述n型金屬氧化物半導體晶體管的第二體偏置電壓，并且

執行所述自適應體偏置操作包括：

減小所述第二體偏置電壓的電壓電平。

13.根據權利要求1所述的方法，其中：

所述存儲器件包括振蕩器，所述振蕩器被配置為生成振蕩信號，并且

內部地測量所述第一時間間隔的操作是使用所述振蕩器執行的。

14.根據權利要求13所述的方法，其中，調整所述參考時間間隔的操作是通過調整所述振蕩信號的頻率執行的。