[發明專利]半導體器件及其制作方法

在審

• 申請號: 202210859787.1
• 申請日: 2022-07-20
• 公開（公告）號: CN115188885A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發明（設計）人: 張珽;劉銀行;管科杰;孫富欽;馮思敏;劉林;王穎異
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24;G01N27/12
• 代理公司: 蘇州三英知識產權代理有限公司 32412
• 代理人: 仲崇明

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，具有相對的第一表面和第二表面；

電極，形成于所述襯底的第一表面上；

MoS₂層，覆蓋于所述電極和襯底暴露的第一表面上。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底的第一表面上凹設形成有凹槽，所述電極設置于所述凹槽內。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底包括Si襯底以及形成于Si襯底上的SiO₂層，所述凹槽凹設形成于所述SiO₂層內。

4.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述MoS₂層為單層MoS₂層或單層摻雜MoS₂層，所述半導體器件為氣體傳感器。

5.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述MoS₂層中形成有鋰離子插層。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為憶阻器。

7.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，該襯底具有相對的第一表面和第二表面；

在襯底的第一表面上沉積金屬電極；

在電極和襯底暴露的第一表面上覆蓋MoS₂層。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，提供一襯底包括：

提供一Si襯底；

在Si襯底的一側表面氧化形成SiO₂層；

在SiO₂層的表面通過刻蝕形成凹槽，

在襯底的第一表面上沉積金屬電極包括：

在所述的凹槽內沉積金屬電極。

9.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在電極和襯底暴露的第一表面上覆蓋MoS₂層包括：

通過化學氣相沉積方法制備單層MoS₂或單層摻雜MoS₂層；

通過干法或濕化學法將MoS₂層轉移至襯底的第一表面上。

10.根據權利要求7所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，在電極和襯底暴露的第一表面上覆蓋MoS₂層包括：

通過機械剝離獲得多層結構的MoS₂層；

將多層結構的MoS₂層浸入含鋰離子溶液中，形成具有鋰離子插層的MoS₂層；

將具有鋰離子插層的MoS₂層轉移至襯底的第一表面上。