[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210854836.2
• 申請(qǐng)日: 2022-07-18
• 公開（公告）號(hào): CN115188662A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)立巍;文鍾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江同芯祺科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/311
• 代理公司: 北京同輝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11357
• 代理人: 何靜

本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝，屬于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝，包括以下步驟：在晶圓的端面的絕緣層上鋪設(shè)SOC，在所述的SOC表面開若干第一凹槽與若干第二凹槽，所述第一凹槽成對(duì)地、分別布置在所述第二凹槽兩側(cè)；在所述的第一凹槽中布置SiON，部分去除所述第二凹槽的SiON之間的SOC，保留貼近SiON的部分SOC，并使得絕緣層暴露；蝕刻所述第二凹槽底部的絕緣層，形成所述的溝槽。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的工藝通過選用SOC作為硬掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的深寬比。并且，溝槽形成后去除SOC，剩余的SiON能夠作為溝槽電晶體周邊的保護(hù)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體器件的制造中，對(duì)于一些功率器件，其形成的溝槽需要有很高的深寬比。對(duì)應(yīng)到半導(dǎo)體器件制造工藝中，需要實(shí)現(xiàn)蝕刻選擇比更大的蝕刻工藝。但是現(xiàn)有的半導(dǎo)體溝槽加工工藝中，實(shí)現(xiàn)高的深寬比仍然具有一定的難度。如圖3所示，現(xiàn)有的溝槽形成工藝中，掩膜的側(cè)壁形成肩部，但是現(xiàn)有的材質(zhì)并不能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的選擇比，并且溝槽形成后無法在溝槽外形成對(duì)于電晶體的保護(hù)。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出了一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝。

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：

一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝，包括以下步驟：

在晶圓的端面的絕緣層上鋪設(shè)SOC，

在所述的SOC表面開設(shè)凹槽，將所述的SOC劃分為成對(duì)布置的SOC塊，并使得所述絕緣層暴露；

在所述的凹槽的側(cè)壁上形成SiON；

在SiON的側(cè)壁設(shè)置SOC；

蝕刻所述凹槽底部的絕緣層，形成所述的溝槽。

可選地，形成所述的溝槽后，除去絕緣層上的SOC。

可選地，所述的SOC通過氧電漿清洗去除。

可選地，通過干蝕刻蝕刻SiON之間的絕緣層。

可選地，所述的第一凹槽與第二凹槽的開設(shè)方法包括，在SOC的表面上布置光阻，通過光刻形成所述的第一凹槽與第二凹槽。

可選地，所述的凹槽的側(cè)壁上的SiON和/或所述SiON的側(cè)壁上的SOC，通過干蝕刻形成。

本發(fā)明的有益效果：

通過選用SOC作為硬掩模，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的深寬比。并且，溝槽形成后去除SOC，剩余的SiON能夠作為溝槽電晶體周邊的保護(hù)。

附圖說明

下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。

圖1～2為本申請(qǐng)的工藝流程圖。

圖3為現(xiàn)有技術(shù)中的溝槽形成的工藝結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

如圖1與圖2所示，一種半導(dǎo)體器件溝槽形成工藝，包括以下步驟：

在晶圓的端面的絕緣層上鋪設(shè)SOC，其中所述的SOC為旋涂碳(spin on carbon)。

在所述的SOC表面開設(shè)凹槽，將所述的SOC劃分為成對(duì)布置的SOC塊，并使得所述絕緣層暴露。

在所述的凹槽的側(cè)壁上形成SiON。