[發明專利]一種半導體器件溝槽形成工藝在審
| 申請號： | 202210854836.2 | 申請日： | 2022-07-18 |
| 公開（公告）號： | CN115188662A | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 嚴立巍;文鍾 | 申請（專利權）人： | 浙江同芯祺科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 何靜 |
| 地址： | 312000 浙江省紹興市越*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體器件 溝槽 形成 工藝 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，包括以下步驟：
在晶圓的端面的絕緣層上鋪設SOC，
在所述的SOC表面開設凹槽，將所述的SOC劃分為成對布置的SOC塊，并使得所述絕緣層暴露；
在所述的凹槽的側壁上形成SiON；
在SiON的側壁設置SOC；
蝕刻所述凹槽底部的絕緣層，形成所述的溝槽。
2.根據權利要求1所述的半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，形成所述的溝槽后，除去絕緣層上的SOC。
3.根據權利要求3所述的半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，所述的SOC通過氧電漿清洗去除。
4.根據權利要求1所述的半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，通過干蝕刻蝕刻SiON之間的絕緣層。
5.根據權利要求1所述的半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，所述的槽的開設方法包括，在SOC的表面上布置光阻，通過光刻形成所述的凹槽。
6.根據權利要求1所述的半導體器件溝槽形成工藝，其特征在于，所述的凹槽的側壁上的SiON和/或所述SiON的側壁上的SOC，通過干蝕刻形成。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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