[發明專利]一種首飾耐磨黃金鍍層的制備方法在審
| 申請號： | 202210854795.7 | 申請日： | 2022-07-20 |
| 公開（公告）號： | CN115198242A | 公開（公告）日： | 2022-10-18 |
| 發明（設計）人： | 周鵬;余勇基;肖萍 | 申請（專利權）人： | 深圳市金弘珠寶首飾有限公司 |
| 主分類號： | C23C14/35 | 分類號： | C23C14/35;A44C27/00;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/14 |
| 代理公司： | 深圳市深佳知識產權代理事務所(普通合伙) 44285 | 代理人： | 戴皓 |
| 地址： | 518100 廣東省深圳市羅湖區*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 首飾 耐磨 黃金 鍍層 制備 方法 | ||
1.一種首飾耐磨黃金鍍層的制備方法，包括以下步驟：
在首飾基體上通過磁控濺射依次形成TiN和TiO的復合基底層、黃金層、SiO2底膜和AF膜層，得到首飾耐磨黃金鍍層。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成TiN和TiO的復合基底層的過程具體為：
采用鈦作為靶材，充入體積比為(2.5～3.5)：(1.5～2.5)：1的氬氣、氮氣和氧氣的混合氣體，進行磁控濺射，形成TiN和TiO的復合基底層；
所述磁控濺射的通電電流為100A～150A，溫度為290℃～350℃，時間為20min～40min。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述TiN和TiO的復合基底層的厚度為20nm～40nm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述黃金層采用金合金靶材；所述金合金靶材包括以下組分：
Au：96～98wt.％，Pd：0～2wt.％，Co：0.5～2wt.％、In：0.2～2wt.％,Y：0.1～0.8wt.％。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成黃金層的磁控濺射條件為：
采用氬氣保護，通電電流為5A～10A，濺射處理的溫度為250℃～300℃，濺射處理的時間為15min～40min。
6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述黃金層的厚度為30nm～100nm。
7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成SiO2底膜的過程具體為：
采用硅作為靶材，充入體積比為(1.5～2.5)：1的氬氣和氧氣的混合氣體，進行磁控濺射，形成SiO2底膜；
所述磁控濺射的通電電流為1A～2A，溫度為150℃～250℃，時間為2min～5min。
8.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述SiO2底膜的厚度為10nm～15nm。
9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，形成AF膜層的磁控濺射條件為：
采用有機氟硅化物作為靶材，采用氬氣保護，通電電流為2A～3A，濺射處理的溫度為150℃～250℃，濺射處理的時間為5min～10min。
10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述AF膜層的厚度為20nm～30nm。
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