[發明專利]晶片載放臺

在審

• 申請號: 202210852241.3
• 申請日: 2022-07-20
• 公開（公告）號: CN116190186A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 井上靖也;久野達也;森岡育久
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

1.一種晶片載放臺，其具備：

陶瓷基材，該陶瓷基材在上表面具有能夠載放晶片的晶片載放面，且內置有電極；

冷卻基材，該冷卻基材具有冷媒流路；

接合層，該接合層將所述陶瓷基材和所述冷卻基材接合；以及

多個小突起，該多個小突起在所述晶片載放面的基準面以頂面支撐晶片的下表面，

所述晶片載放臺的特征在于，

所述小突起的頂面在同一平面上，

在所述晶片載放面的俯視與所述冷媒流路重復的流路重復范圍內，俯視所述冷媒流路時與所述晶片載放面重復的范圍內的與最上游部對置的部分中，所述小突起的面積率最低。

2.根據權利要求1所述的晶片載放臺，其特征在于，

所述流路重復范圍內的所述小突起的面積率隨著從所述與最上游部對置的部分趨向所述冷媒流路的下游而逐漸升高。

3.根據權利要求1或2所述的晶片載放臺，其特征在于，

在所述流路重復范圍內，俯視所述冷媒流路時與所述晶片載放面重復的范圍內的與最下游部對置的部分中的所述小突起的面積率為所述與最上游部對置的部分中的所述小突起的面積率的150％以上。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的晶片載放臺，其特征在于，

與所述流路重復范圍內的規定的區域相比，與所述規定的區域相鄰且是所述流路重復范圍外的相鄰區域的所述小突起的面積率升高。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的晶片載放臺，其特征在于，

所述晶片載放臺具備：沿著上下方向貫穿所述冷卻基材的孔，

所述冷媒流路構成為：在所述孔的周邊區域，與偏離所述孔的周邊區域的區域相比，所述冷媒流路的截面積變小，

與所述晶片載放面的偏離所述孔的正上方區域的周邊區域相比，所述正上方區域的所述小突起的面積率升高。

6.一種晶片載放臺，其具備：

陶瓷基材，該陶瓷基材在上表面具有能夠載放晶片的晶片載放面，且內置有電極；

冷卻基材，該冷卻基材具有冷媒流路；

接合層，該接合層將所述陶瓷基材和所述冷卻基材接合；以及

多個小突起，該多個小突起在所述晶片載放面的基準面以頂面支撐晶片的下表面，

所述晶片載放臺的特征在于，

所述小突起的頂面在同一平面上，

在所述晶片載放面的俯視與所述冷媒流路重復的流路重復范圍內，俯視所述冷媒流路時與所述晶片載放面重復的范圍內的與最上游部對置的部分中，所述小突起的頂面至所述基準面的距離最長。

7.根據權利要求6所述的晶片載放臺，其特征在于，

所述流路重復范圍內的所述小突起的頂面至所述基準面的距離隨著從所述與最上游部對置的部分趨向所述冷媒流路的下游而逐漸變短。

8.根據權利要求6或7所述的晶片載放臺，其特征在于，

在所述流路重復范圍內，俯視所述冷媒流路時與所述晶片載放面重復的范圍內的與最下游部對置的部分中的所述小突起的頂面至所述基準面的距離為所述與最上游部對置的部分中的所述小突起的頂面至所述基準面的距離的80％以下。

9.根據權利要求6～8中的任一項所述的晶片載放臺，其特征在于，

與所述流路重復范圍內的規定的區域相比，與所述規定的區域相鄰且是所述流路重復范圍外的相鄰區域的所述小突起至所述基準面的距離較短。

10.根據權利要求6～9中的任一項所述的晶片載放臺，其特征在于，

所述晶片載放臺具備：沿著上下方向貫穿所述冷卻基材的孔，

所述冷媒流路構成為：在所述孔的周邊區域，與偏離所述孔的周邊區域的區域相比，所述冷媒流路的截面積變小，

與所述晶片載放面的偏離所述孔的正上方區域的周邊區域相比，所述正上方區域的所述小突起的頂面至所述基準面的距離變短。

11.根據權利要求1～10中的任一項所述的晶片載放臺，其特征在于，

所述冷卻基材由金屬基復合材料制作，

所述接合層為金屬接合層。