[發明專利]晶片載放臺

在審

• 申請號: 202210852241.3
• 申請日: 2022-07-20
• 公開（公告）號: CN116190186A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 井上靖也;久野達也;森岡育久
• 申請（專利權）人: 日本礙子株式會社
• 主分類號: H01J37/20
• 分類號: H01J37/20;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京旭知行專利代理事務所(普通合伙) 11432
• 代理人: 王軼;鄭雪娜

本發明提供晶片載放臺，提高晶片的均熱性。晶片載放臺(10)具備：陶瓷基材(20)，其上表面具有能夠載放晶片的晶片載放面，且內置有電極(26)；冷卻基材(30)，其具有冷媒流路(32)；金屬接合層(40)，其將陶瓷基材(20)和冷卻基材(30)接合；以及多個小突起(22c)，它們在晶片載放面(22a)的基準面(22d)以頂面支撐晶片(W)的下表面。小突起(22c)的頂面在同一平面上。在晶片載放面(22a)的俯視與冷媒流路(32)重復的流路重復范圍(R10)內，俯視冷媒流路(32)時與晶片載放面(22a)重復的范圍內的與最上游部(32U)對置的小區域(A1)中，小突起(22c)的面積率最低。

技術領域

本發明涉及晶片載放臺。

背景技術

以往，已知有如下晶片載放臺，該晶片載放臺具備：陶瓷基材，其具有晶片載放面且內置有電極；冷卻基材，其具有冷媒流路；以及接合層，其將陶瓷基材和冷卻基材接合。例如，專利文獻1、2中記載有如下內容，即，該晶片載放臺中，作為冷卻基材，采用由線熱膨脹系數與陶瓷基材相同程度的金屬基復合材料制作的部件。另外，記載有如下內容，即，在晶片載放臺設置供用于向電極供電的供電端子插穿的端子孔、用于向晶片的背面供給He氣體的氣體孔、供將晶片自晶片載放面抬起的升降銷插穿的升降銷孔。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特許第5666748號公報

專利文獻2：日本特許第5666749號公報

發明內容

然而，在晶片載放臺使用時，由于冷媒一邊從晶片奪取熱一邊從冷媒流路的上游側向下游側流動，所以，與上游側相比，下游側的冷媒的溫度容易升高，結果，有時無法充分得到晶片的均熱性。

本發明是為了解決上述課題而實施的，其主要目的在于，提高晶片的均熱性。

本發明的第一晶片載放臺具備：

陶瓷基材，該陶瓷基材在上表面具有能夠載放晶片的晶片載放面，且內置有電極；

冷卻基材，該冷卻基材具有冷媒流路；

接合層，該接合層將所述陶瓷基材和所述冷卻基材接合；以及

多個小突起，該多個小突起在所述晶片載放面的基準面以頂面支撐晶片的下表面，

所述晶片載放臺的特征在于，

所述小突起的頂面在同一平面上，

在所述晶片載放面的俯視與所述冷媒流路重復的流路重復范圍內，俯視所述冷媒流路時與所述晶片載放面重復的范圍內的與最上游部對置的部分中，所述小突起的面積率最低。

該第一晶片載放臺中，流路重復范圍內的小突起的面積率在與最上游部對置的部分中最低。此處，“小突起的面積率”是指：小突起的總面積在單位面積中占據的比例。在晶片載放臺使用時，由于冷媒一邊從高溫的晶片奪取熱一邊從冷媒流路的上游側向下游側流動，所以，與上游側相比，下游側的流通于冷媒流路的冷媒的溫度升高。但是，該晶片載放臺中，流路重復范圍內的小突起的面積率在與最上游部對置的部分中最低，因此，同與最上游部對置的部分相比，該部分以外的冷媒流路至晶片載放面的熱阻降低。其理由如下。小突起為陶瓷，陶瓷與空隙相比，熱傳導率良好。因此，小突起的面積率較高的部分與小突起的面積率不高的部分相比，平面方向上陶瓷占據的比例較高，晶片與冷媒的熱交換得以促進，排熱得到促進。因此，綜合來講，能夠在晶片載放面的流路重復范圍內使溫度差減小。因此，晶片的均熱性提高。

本發明的第一晶片載放臺中，所述流路重復范圍內的所述小突起的面積率可以隨著從所述與最上游部對置的部分趨向所述冷媒流路的下游而逐漸升高。據此，晶片的均熱性更加提高。