[發明專利]存儲器件及其編程操作

在審

• 申請號: 202210844769.6
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN116189744A
• 公開（公告）日: 2023-05-30
• 發明（設計）人: 梁軻;李躍平;侯春源
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: G11C29/00
• 分類號: G11C29/00;G11C29/12;G11C29/50
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 羅晶瑾;胡春光

1.一種存儲器件，其特征在于，包括：

存儲單元陣列，所述存儲單元陣列具有多行存儲單元；

多條字線，所述多條字線分別耦合至所述多行存儲單元；以及

外圍電路，所述外圍電路通過所述多條字線耦合至所述存儲單元陣列，并且所述外圍電路被配置為：

使用第一編程電壓對所述多行存儲單元中的一行存儲單元進行編程；

使用采樣電壓對已編程的一行存儲單元進行采樣驗證；

基于所述采樣電壓獲得所述已編程的一行存儲單元中的未通過所述采樣驗證的存儲單元的第一數量；并且

基于所述第一數量和所述采樣電壓預測所述已編程的一行存儲單元中的未通過編程驗證的存儲單元的第二數量。

2.根據權利要求1所述的存儲器件，其特征在于，

所述采樣電壓包括第一采樣電壓和小于所述第一采樣電壓的第二采樣電壓；所述外圍電路被配置為使用所述第一采樣電壓對所述已編程的一行存儲單元進行第一采樣驗證，使用所述第二采樣電壓對所述已編程的一行存儲單元進行第二采樣驗證；并且

所述第一數量是所述已編程的一行存儲單元中的未通過所述第一采樣驗證且通過所述第二采樣驗證的存儲單元的數量。

3.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其特征在于，所述外圍電路還被配置為：

在所述使用采樣電壓對已編程的一行存儲單元進行采樣驗證之前，使用驗證電壓對所述已編程的一行存儲單元進行所述編程驗證；所述驗證電壓大于所述采樣電壓。

4.根據權利要求3所述的存儲器件，其特征在于，所述外圍電路包括控制邏輯單元，所述控制邏輯單元被配置為：

基于所述第一編程電壓獲得閾值電壓分布模型；并且

使用所述閾值電壓分布模型，基于所述采樣電壓、所述驗證電壓和所述第一數量來估算所述第二數量。

5.根據權利要求4所述的存儲器件，其特征在于，所述閾值電壓分布模型遵循正態分布。

6.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其特征在于，所述外圍電路包括頁緩沖器，所述頁緩沖器被配置為：

記錄所述已編程的一行存儲單元中的每個存儲單元的所述采樣驗證的結果；并且

基于所述采樣驗證的結果對所述已編程的一行存儲單元中的未通過所述采樣驗證的存儲單元進行計數，以獲得所述第一數量。

7.根據權利要求3所述的存儲器件，其特征在于，

所述外圍電路包括字線驅動器，所述字線驅動器被配置為：

向所述多條字線中與所述一行存儲單元耦合的選定字線施加所述第一編程電壓；以及

依次向所述選定字線施加所述驗證電壓和所述采樣電壓，以及所述外圍電路還包括頁緩沖器，所述頁緩沖器被配置為：

依次檢查在所述字線驅動器施加所述驗證電壓之后所述已編程的一行存儲單元中的每個存儲單元的閾值電壓是否達到了所述驗證電壓，以及

在所述字線驅動器施加所述采樣電壓之后所述已編程的一行存儲單元中的每個存儲單元的閾值電壓是否達到了所述采樣電壓。

8.根據權利要求1或2所述的存儲器件，其特征在于，所述外圍電路還被配置為基于所述第二數量使用第二編程電壓對所述一行存儲單元進行編程。

9.根據權利要求8所述的存儲器件，其特征在于，所述第二編程電壓包括第一子編程電壓和小于所述第一子編程電壓的第二子編程電壓；所述外圍電路還被配置為：

使用所述第一子編程電壓對所述一行存儲單元中未通過所述采樣驗證的存儲單元進行編程；以及

使用所述第二子編程電壓對所述一行存儲單元中通過所述采樣驗證且未通過所述編程驗證的存儲單元進行編程。