[發明專利]電子器件和電容結構

有效

• 申請號: 202210844416.6
• 申請日: 2022-07-19
• 公開（公告）號: CN115001440B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳新聲半導體有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/56;H03H9/58;H01G7/00;H01L41/08;H01L41/053
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒;陳家樂

一種電子器件和電容結構。在該電子器件中，襯底基板包括第一區域和第二區域；壓電材料層位于襯底基板上；第一底電極位于壓電材料層靠近襯底基板的一側且位于第一區域；第二底電極位于壓電材料層靠近襯底基板的一側且位于第二區域；頂電極位于壓電材料層上，且位于所述第二區域；鈍化層位于壓電材料層遠離襯底基板的一側；連接電極層位于鈍化層上。鈍化層包括第一子鈍化部，連接電極層包括位于第一區域的電極塊，第一子鈍化部位于電極塊與壓電材料層之間，第一底電極與電極塊交疊以形成電容結構；第二底電極與頂電極交疊以形成諧振器。該電子器件可在將電容結構和諧振器集成的同時，使得包括壓電材料層的電容結構具有更好的電容性能。

技術領域

本公開的實施例涉及一種電子器件和電容結構。

背景技術

隨著5G技術不斷發展，射頻濾波器的應用與需求不斷升級，對于射頻濾波器的性能指標要求越來越高。壓電聲波濾波器主要由諧振器構成，這些諧振器可包括：薄膜體聲波諧振器（FBAR），固態裝配諧振器（SMR）、聲表面波諧振器（SAW）；其中，薄膜體聲波諧振器（FBAR），固態裝配諧振器（SMR）可統稱為BAW（體聲波諧振器）。

體聲波濾波器包括薄膜體聲波諧振器（film bulk acoustic resonator，FBAR），其通常是在襯底基板上依次形成下電極、壓電層和上電極，進而在襯底基板上形成具有壓電特性的諧振結構。

發明內容

本公開實施例提供一種電子器件和電容結構。該電子器件包括襯底基板、壓電材料層、第一底電極、第二底電極、頂電極、鈍化層和連接電極層；襯底基板包括間隔設置的第一區域和第二區域；壓電材料層位于襯底基板上；第一底電極位于壓電材料層靠近襯底基板的一側且位于第一區域；第二底電極位于壓電材料層靠近襯底基板的一側且位于第二區域；頂電極位于壓電材料層遠離襯底基板的一側且位于所述第二區域；鈍化層位于壓電材料層遠離襯底基板的一側；連接電極層位于鈍化層遠離壓電材料層的一側。鈍化層包括第一子鈍化部，連接電極層包括位于第一區域的電極塊，第一子鈍化部位于電極塊與壓電材料層之間，第一底電極在第一子鈍化部上的正投影與電極塊在第一子鈍化部上的正投影交疊以形成電容結構；第二底電極在壓電材料層上的正投影與頂電極在壓電材料層上的正投影交疊以形成諧振器，鈍化層的材料為介電材料。在該電子器件中，第一底電極、壓電材料層、第一子鈍化部和電極塊可形成電容結構，該電子器件在壓電材料層和電極塊之間設置了第一子鈍化部，從而大幅度地降低了該電容結構的機電耦合系數，使得該電容結構與不含壓電材料層的電容的性能更相似。由此，該電子器件可在將電容結構和諧振器集成的同時，使得包括壓電材料層的電容結構具有更好的電容性能。

本公開至少一個實施例提供一種電子器件，其包括：襯底基板，包括間隔設置的第一區域和第二區域；壓電材料層，位于所述襯底基板上；第一底電極，位于所述壓電材料層靠近所述襯底基板的一側，且位于所述第一區域；第二底電極，位于所述壓電材料層靠近所述襯底基板的一側，且位于所述第二區域；頂電極，位于所述壓電材料層遠離所述襯底基板的一側，且位于所述第二區域；鈍化層，位于所述壓電材料層遠離所述襯底基板的一側；以及連接電極層，位于所述鈍化層遠離所述壓電材料層的一側，所述鈍化層包括第一子鈍化部，所述連接電極層包括位于所述第一區域的電極塊，所述第一子鈍化部位于所述電極塊與所述壓電材料層之間，所述第一底電極在所述第一子鈍化部上的正投影與所述電極塊在所述第一子鈍化部上的正投影交疊以形成電容結構，所述第二底電極在所述壓電材料層上的正投影與所述頂電極在所述壓電材料層上的正投影交疊以形成諧振器，所述鈍化層的材料為介電材料。

例如，在本公開一實施例提供的電子器件中，所述鈍化層還包括第二子鈍化部，所述第二子鈍化部位于所述頂電極遠離所述壓電材料層的一側。

例如，在本公開一實施例提供的電子器件中，所述連接電極層還包括：第一連接電極，位于所述第二子鈍化部遠離所述壓電材料層的一側；以及第二連接電極，位于所述第二子鈍化部遠離所述頂電極的一側，所述第一連接電極與所述第二底電極電性相連，所述第二連接電極與所述頂電極電性相連。