[發明專利]電子器件和電容結構

有效

• 申請號: 202210844416.6
• 申請日: 2022-07-19
• 公開（公告）號: CN115001440B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 深圳新聲半導體有限公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/56;H03H9/58;H01G7/00;H01L41/08;H01L41/053
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒;陳家樂

1.一種電子器件，包括：

襯底基板，包括間隔設置的第一區域和第二區域；

壓電材料層，位于所述襯底基板上；

第一底電極，位于所述壓電材料層靠近所述襯底基板的一側，且位于所述第一區域；

第二底電極，位于所述壓電材料層靠近所述襯底基板的一側，且位于所述第二區域；

頂電極，位于所述壓電材料層遠離所述襯底基板的一側，且位于所述第二區域；

鈍化層，位于所述壓電材料層遠離所述襯底基板的一側；以及

連接電極層，位于所述鈍化層遠離所述壓電材料層的一側，

其中，所述鈍化層包括第一子鈍化部，所述連接電極層包括位于所述第一區域的電極塊，所述第一子鈍化部位于所述電極塊與所述壓電材料層之間，所述第一底電極在所述第一子鈍化部上的正投影與所述電極塊在所述第一子鈍化部上的正投影交疊以形成電容結構，所述第二底電極在所述壓電材料層上的正投影與所述頂電極在所述壓電材料層上的正投影交疊以形成諧振器，所述鈍化層的材料為介電材料。

2.根據權利要求1所述的電子器件，其中，所述鈍化層還包括第二子鈍化部，所述第二子鈍化部位于所述頂電極遠離所述壓電材料層的一側。

3.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述連接電極層還包括：

第一連接電極，位于所述第二子鈍化部遠離所述壓電材料層的一側；以及

第二連接電極，位于所述第二子鈍化部遠離所述頂電極的一側，

其中，所述第一連接電極與所述第二底電極電性相連，所述第二連接電極與所述頂電極電性相連。

4.根據權利要求2所述的電子器件，其中，所述第一子鈍化部的厚度和所述第二子鈍化部的厚度相等，所述第一子鈍化部和所述第二子鈍化部在從所述第一區域至所述第二區域的方向上連續設置。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的電子器件，其中，所述連接電極層的厚度大于所述頂電極的厚度。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的電子器件，還包括：

粘附層，位于所述第一子鈍化部和所述電極塊之間，

其中，所述粘附層與所述第一子鈍化部遠離所述壓電材料層的表面接觸設置，所述電極塊與所述粘附層遠離所述第一子鈍化部的表面接觸設置。

7.根據權利要求1-4中任一項所述的電子器件，其中，所述鈍化層的材料選自氧化硅、氮化硅、氮氧化硅和氧化鋁中的至少一個。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的電子器件，其中，所述鈍化層的厚度范圍為30-200納米。

9.根據權利要求1-4中任一項所述的電子器件，其中，所述襯底基板包括：

第一凹槽，位于所述第一區域；以及

第二凹槽，位于所述第二區域，

其中，所述第一底電極在所述襯底基板上的正投影與所述第一凹槽在所述襯底基板上的正投影交疊，所述第二底電極在所述襯底基板上的正投影與所述第二凹槽在所述襯底基板上的正投影交疊。

10.根據權利要求9所述的電子器件，其中，所述第一底電極橫跨所述第一凹槽，所述第二底電極橫跨所述第二凹槽。

11.根據權利要求9所述的電子器件，其中，所述壓電材料層橫跨所述第一凹槽和所述第二凹槽，所述第一底電極至少部分位于所述第一凹槽之中，所述第二底電極至少部分位于所述第二凹槽中。

12.根據權利要求9所述的電子器件，還包括：

底鈍化層，位于所述第一底電極遠離所述壓電材料層的一側，

其中，所述底鈍化層橫跨所述第一凹槽。