[發(fā)明專(zhuān)利]一種減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210843651.1
• 申請(qǐng)日: 2022-07-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN115108550B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-02-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張強(qiáng);馬一夫;王智君;孫凱;楊文澍;陳國(guó)欽;修子揚(yáng);姜龍濤;武高輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 哈爾濱工業(yè)大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): C01B32/21
• 分類(lèi)號(hào): C01B32/21
• 代理公司: 哈爾濱華夏松花江知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 23213
• 代理人: 侯靜

1.一種減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法按以下步驟進(jìn)行：

一、石墨膜裁剪

將石墨膜裁剪并放置在溶劑中，使之均勻展開(kāi)；

所述溶劑為無(wú)水乙醇或丙酮；

二、丙酮超聲處理

步驟一得到的石墨膜平鋪并利用丙酮完全潤(rùn)濕，然后進(jìn)行超聲處理，最后烘干至恒重；

所述超聲處理的功率為200～400W，超聲處理時(shí)間為10～60s；

三、進(jìn)行一次微波處理或進(jìn)行兩次微波處理；

所述一次微波處理的工藝為：將步驟二中得到的石墨膜轉(zhuǎn)移至微波爐中進(jìn)行較高功率短時(shí)的第一次微波處理，然后待石墨膜冷卻后取出；

所述的一次微波處理時(shí)的微波爐功率為800～1000W，頻率為2450MHz；

所述的一次微波處理時(shí)的時(shí)間為2～6s；

所述的兩次微波處理的工藝為：將一次微波處理后的石墨膜進(jìn)行低功率長(zhǎng)時(shí)間的二次微波處理，待石墨膜冷卻后取出；

所述的二次微波處理時(shí)的微波爐功率為500～800W，頻率為2450MHz；

所述的二次微波處理時(shí)的時(shí)間為6～10s。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟一所述石墨膜為聚酰亞胺膜經(jīng)過(guò)高溫石墨化處理得到的石墨膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟一所述石墨膜的平均厚度為20～30μm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟一所述石墨膜裁剪形狀為矩形或圓形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟二所述烘干過(guò)程的溫度為50～75℃，烘干時(shí)間為2～10h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟三所述的二次微波處理的降溫時(shí)間為2～10min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟三所述的一次微波處理時(shí)的微波爐功率為800W，頻率為2450MHz。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟三所述的一次微波處理時(shí)的時(shí)間為4s。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟三所述的二次微波處理時(shí)的微波爐功率為500W，頻率為2450MHz。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減少石墨膜面內(nèi)缺陷的改性處理方法，其特征在于：步驟三所述的二次微波處理時(shí)的時(shí)間為6s。