[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體器件及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210839129.6
• 申請(qǐng)日: 2022-07-15
• 公開（公告）號(hào): CN115881691A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金孝真;河大元
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/538
• 分類號(hào): H01L23/538;H01L27/02;H01L27/088
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 紀(jì)雯;倪斌

1.一種三維半導(dǎo)體器件，包括：

襯底上的第一有源區(qū)，所述第一有源區(qū)包括第一源/漏圖案和與所述第一源/漏圖案連接的第一溝道圖案；

第一有源接觸部，在所述第一源/漏圖案上；

第二有源區(qū)，在所述第一有源區(qū)和所述第一有源接觸部上，所述第二有源區(qū)包括第二源/漏圖案和與所述第二源/漏圖案連接的第二溝道圖案；

第二有源接觸部，在所述第二源/漏圖案上；

柵電極，從所述第一溝道圖案向所述第二溝道圖案豎直地延伸；

第一電力線和第二電力線，在所述第一有源區(qū)下方；以及

第一金屬層，在所述柵電極和所述第二有源接觸部上，

所述第一有源接觸部包括：

第一連接部，與所述第一源/漏圖案連接；以及

第一焊盤部，從所述第一連接部水平地延伸，

所述第二有源接觸部包括：

第二連接部，與所述第二源/漏圖案連接；以及

第二焊盤部，從所述第二連接部水平地延伸，

所述第一焊盤部從所述第二有源接觸部水平地偏移，

所述第二焊盤部從所述第一有源接觸部水平地偏移，

所述第一焊盤部通過(guò)第一通孔電連接到所述第一金屬層中的第一布線和所述第一電力線之一，并且

所述第二焊盤部通過(guò)第二通孔電連接到所述第一金屬層中的第二布線和所述第二電力線之一。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，所述第一連接部和所述第二連接部彼此豎直地交疊。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一源/漏圖案與所述第一連接部豎直地交疊，并且

所述第二源/漏圖案與所述第二連接部豎直地交疊。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一通孔與所述第一布線電連接，并且

所述第一通孔與所述第二有源接觸部的側(cè)壁間隔開。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第二通孔與所述第二電力線電連接，并且

所述第二通孔與所述第一有源接觸部的側(cè)壁間隔開。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一有源區(qū)是PMOSFET區(qū)和NMOSFET區(qū)之一，并且

所述第二有源區(qū)是PMOSFET區(qū)和NMOSFET區(qū)中的另一個(gè)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，還包括：

第一柵極切割圖案和第二柵極切割圖案，在所述柵電極的相對(duì)端，

其中，所述第一柵極切割圖案和所述第二柵極切割圖案與所述第一電力線和所述第二電力線豎直地交疊。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，還包括：

輸電網(wǎng)絡(luò)，在所述襯底的底表面上；以及

多個(gè)貫通孔，將所述第一電力線和所述第二電力線電連接到所述輸電網(wǎng)絡(luò)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一通孔的至少一部分與所述第一布線豎直地交疊，并且

所述第二通孔的至少一部分與所述第二布線豎直地交疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維半導(dǎo)體器件，其中，

所述第一有源接觸部還包括：第三焊盤部，與所述第一焊盤部相對(duì)地設(shè)置，

所述第三焊盤部從所述第二有源接觸部水平地偏移，并且

所述第三焊盤部通過(guò)第三通孔電連接到所述第一金屬層中的第三布線。