[發(fā)明專利]一種利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210837607.X | 申請日: | 2022-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN115141018B | 公開(公告)日: | 2023-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 韓學(xué)武;胡曉明;胡浩;樊希安 | 申請(專利權(quán))人: | 湖北賽格瑞新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H10N10/852 | 分類號: | H10N10/852;C30B29/46;C22F1/00;C22C1/02;B22F3/14;C04B35/515;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/645;B28D1/00 |
| 代理公司: | 武漢華旭知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 42214 | 代理人: | 高劍鋒 |
| 地址: | 430206 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 累積 制備 型碲化鉍基 熱電 材料 方法 | ||
1.一種利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于具體步驟為:
步驟1、以Bi、Te、Se為原料,按化學(xué)計量比Bi2Te3-xSex配料,其中0.15≤x≤0.6;真空封裝并通過熔煉制成晶棒,將熔煉所得的晶棒進行區(qū)域熔煉得到區(qū)熔晶棒,將區(qū)熔晶棒破碎制粉,將粉末進行熱壓燒結(jié)制成塊體,即燒結(jié)材料,熱壓燒結(jié)的具體條件是升溫速率20~100℃/min,燒結(jié)溫度430~520℃,燒結(jié)時間5~20min;
步驟2、將步驟1制得的燒結(jié)材料放入熱鐓模具的模腔中,其中模腔的寬度與燒結(jié)材料的寬度相當,模腔的長度為燒結(jié)材料的長度的2~5倍,以保證熱鐓時燒結(jié)材料能沿其長度方向發(fā)生定向變形;步驟3、將模具進行加熱使燒結(jié)材料的溫度達到430~540℃,然后立即進行熱鐓,使燒結(jié)材料沿長度方向定向變形,直至填滿模腔,熱鐓過程中溫度維持恒定,熱鐓完成后立即降溫,獲得一次熱鐓材料;
步驟4、將步驟3所得到的一次熱鐓材料沿長度方向切割成2~5段,然后沿厚度方向疊放在一起再放入步驟2的熱鐓模具的模腔中,同樣需保證模腔的寬度與燒結(jié)材料的寬度相當,模腔的長度為燒結(jié)材料的長度的2~5倍,以保證熱鐓時燒結(jié)材料能沿其長度方向發(fā)生定向變形;
步驟5、將步驟3和步驟4重復(fù)1~2次,材料在高溫下發(fā)生應(yīng)變的過程中,高密度位錯誘發(fā)再結(jié)晶,細化晶粒,同時在加壓條件晶粒沿垂直于壓力方向擇優(yōu)生長,最終獲得晶粒細小、取向明顯的n型碲化鉍基熱電材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:步驟1中Bi、Te、Se的純度為99.99%以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:步驟1中封裝是指用高硼硅玻璃管或石英玻璃管進行封裝。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:采用高硼硅玻璃管封裝時,熔煉溫度為590~650℃;采用石英玻璃管封裝時,熔煉溫度為590~850℃。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:步驟1中區(qū)域熔煉采用區(qū)熔爐進行,在采用高硼硅玻璃管封裝時的具體區(qū)熔條件是區(qū)熔溫度650~780℃,拉晶速率20~35mm/h,晶棒直徑30mm;在采用石英玻璃管封裝時的具體區(qū)熔條件是區(qū)熔溫度650~850℃,拉晶速率20~35mm/h,晶棒直徑30mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:步驟3中加熱方式為感應(yīng)加熱、脈沖直流加熱或爐窯加熱。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用累積熱鐓制備n型碲化鉍基熱電材料的方法,其特征在于:步驟2和步驟3中燒結(jié)材料的長度方向與步驟1中熱壓燒結(jié)的壓力方向垂直。
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