[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202210836293.1
• 申請日: 2022-07-15
• 公開（公告）號: CN115939111A
• 公開（公告）日: 2023-04-07
• 發明（設計）人: 具元泰;徐東益
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/64
• 分類號: H01L23/64;H01G4/005
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理有限公司 11363
• 代理人: 許偉群;李少丹

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

第一外延電極層，其設置在所述襯底上；

鐵電外延層，其設置在所述第一外延電極層上；

電介質外延層，其設置在所述鐵電外延層上；以及

第二外延電極層，其設置在所述電介質外延層上，

其中，所述第一外延電極層和所述第二外延電極層中的每一個包括導電燒綠石氧化物，

其中，所述鐵電外延層和所述電介質外延層串聯電連接，以及

其中，包括所述鐵電外延層和所述電介質外延層的電介質結構是非鐵電的。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述鐵電外延層具有負電容。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述導電燒綠石氧化物包括選自以下的至少一種：氧化鉛銥(Pb₂Ir₂O₇)、氧化鑭銥(La₂Ir₂O₇)、氧化鈰銥(Ce₂Ir₂O₇)、氧化鐠銥(Pr₂Ir₂O₇)、氧化釹銥(Nd₂Ir₂O₇)、氧化釤銥(Sm₂Ir₂O₇)、氧化釓銥(Gd₂Ir₂O₇)、氧化鐿銥(Yb₂Ir₂O₇)、氧化鑭釕(La₂Ru₂O₇)、氧化鈰釕(Ce₂Ru₂O₇)、氧化鐠釕(Pr₂Ru₂O₇)、氧化釹釕(Nd₂Ru₂O₇)、氧化釤釕(Sm₂Ru₂O₇)、氧化釓釕(Gd₂Ru₂O₇)、氧化鐿釕(Yb₂Ru₂O₇)、氧化鉍釕(Bi₂Ru₂O_7-δ，0δ1)、氧化鉛釕(Pb₂Ru₂O_7-δ，0δ1)、氧化鉈釕(Tl₂Ru₂O_7-δ，0δ1)、氧化鉍銥(Bi₂Ir₂O_7-δ，0δ1)、氧化鉛銥(Pb₂Ir₂O_7-δ，0δ1)以及氧化鉈銥(Tl₂Ir₂O_7-δ，0δ1)。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述鐵電外延層包括氧化鉿鋯。

5.根據權利要求4所述的半導體裝置，其中，所述鐵電外延層包括摻雜在所述氧化鉿鋯中的摻雜劑，以及

其中，所述摻雜劑包括選自以下的至少一種：碳(C)、硅(Si)、鎂(Mg)、鋁(Al)、釔(Y)、氮(N)、鍺(Ge)、錫(Sn)、鍶(Sr)、鉛(Pb)、鈣(Ca)、鋇(Ba)、鈦(Ti)、鋯(Zr)、釓(Gd)和鑭(La)。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述電介質外延層包括選自氧化鉿、氧化鋯和摻雜鋯(Zr)的氧化鉿鋯中的至少一種，以及

其中，所述電介質外延層是非鐵電的。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述鐵電外延層具有正交晶系的晶體結構，以及

其中，所述電介質外延層具有單斜晶系或四方晶系的晶體結構。