[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202210836054.6
• 申請日: 2022-07-15
• 公開（公告）號: CN115692347A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發明（設計）人: 李周益;李鐘旼;崔智旻;李瑌真;李全一
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/485;H01L25/18;H10B80/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

公開了一種半導體裝置。所述半導體裝置包括：基底，包括彼此背對的第一側和第二側；第一穿透結構，穿透基底；以及第二穿透結構，穿透基底，第二穿透結構與第一穿透結構間隔開，并且當從基底的第一側觀察時，第一穿透結構的面積大于第二穿透結構的面積的兩倍。

本申請要求于2021年7月28日提交的第10-2021-0099301號韓國專利申請的優先權以及從中產生的所有權益，所述韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及半導體裝置。

背景技術

隨著多個半導體芯片安裝在單個半導體封裝件內部的3D(三維)封裝件的發展增加，形成穿透基底或裸片并垂直形成電連接的TSV(貫穿硅過孔，又稱為，硅通孔)結構的技術變得非常重要。需要穩定TSV結構的形成技術來提高3D封裝件的性能和可靠性。

發明內容

根據本公開的一個方面，提供了一種半導體裝置，包括：基底，包括彼此背對的第一側和第二側；第一穿透結構，穿透基底；以及第二穿透結構，與第一穿透結構間隔開并穿透基底，其中，在基底的第一側上，第一穿透結構的面積大于第二穿透結構的面積的兩倍。

根據本公開的另一方面，提供了一種半導體裝置，包括：基底，包括彼此背對的第一側和第二側；第一貫穿過孔結構，包括：第一-1穿透部，穿透基底，第一-2穿透部，在第一方向上與第一-1穿透部間隔開并穿透基底，以及第一連接部，從基底的第一側穿透基底的一部分并連接第一-1穿透部和第一-2穿透部；層間絕緣膜，設置在基底的第一側上并包括半導體元件；布線結構，設置在層間絕緣膜上；以及連接端子，電連接到布線結構。

根據本公開的又一方面，提供了一種半導體裝置，包括：基底；第一貫穿過孔結構，穿透基底并且在第一方向上具有第一最大寬度；以及第二貫穿過孔結構，穿透基底并且在第一方向上具有第二最大寬度，其中，第一貫穿過孔結構與第二貫穿過孔結構間隔開，并且第一最大寬度大于第二最大寬度，第一貫穿過孔結構和第二貫穿過孔結構中的每個包括穿透基底的單個芯塞、環繞單個芯塞的阻擋膜、以及設置在阻擋膜與基底之間的過孔絕緣膜。

附圖說明

通過參照附圖詳細描述示例性實施例，特征對于本領域技術人員將變得清楚，在附圖中：

圖1是根據一些實施例的半導體裝置的示意性布局圖；

圖2是沿圖1的線A-A'截取的剖視圖；

圖3至圖6是沿圖1的線A-A'截取的剖視圖；

圖7是根據一些實施例的半導體裝置的示意性布局圖；

圖8至圖19是根據一些實施例的用于制造半導體裝置的方法中的階段；

圖20是根據一些實施例的包括半導體裝置的半導體封裝件的剖視圖；

圖21是根據一些實施例的包括半導體裝置的半導體封裝件的示意性布局圖；

圖22是沿圖21的線B-B'截取的剖視圖；

圖23是根據一些實施例的包括半導體裝置的半導體封裝件的示意性布局圖；

圖24是根據一些實施例的包括半導體裝置的半導體封裝件的剖視圖；以及

圖25是根據一些實施例的包括半導體裝置的半導體模塊的示圖。

具體實施方式

圖1是用于解釋根據一些實施例的半導體裝置的示意性布局圖。

參照圖1，根據一些實施例的半導體裝置可包括基底100和多個貫穿過孔結構(through via structure)(例如，第一貫穿過孔結構10至第六貫穿過孔結構60)。