[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210836054.6 | 申請日： | 2022-07-15 |
| 公開（公告）號： | CN115692347A | 公開（公告）日： | 2023-02-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李周益;李鐘旼;崔智旻;李瑌真;李全一 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L23/48 | 分類號： | H01L23/48;H01L23/485;H01L25/18;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 史泉;張川緒 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 裝置 | ||
1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
基底，包括彼此背對的第一側(cè)和第二側(cè)；
第一穿透結(jié)構(gòu)，穿透基底；以及
第二穿透結(jié)構(gòu)，穿透基底，第二穿透結(jié)構(gòu)與第一穿透結(jié)構(gòu)間隔開，并且當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第一穿透結(jié)構(gòu)的面積大于第二穿透結(jié)構(gòu)的面積的兩倍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一穿透結(jié)構(gòu)包括：
第一延伸部，當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第一延伸部在第一方向上延伸，以及
第二延伸部，第二延伸部在與第一方向相交的第二方向上從第一延伸部延伸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二延伸部在第二方向上從第一延伸部的在第一方向上的端部延伸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一穿透結(jié)構(gòu)還包括第三延伸部，當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第三延伸部在第一方向上從第二延伸部的端部延伸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第一穿透結(jié)構(gòu)在第一方向上的最大寬度與第一穿透結(jié)構(gòu)在與第一方向相交的第二方向上的最大寬度相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第一穿透結(jié)構(gòu)在第一方向上的最大寬度不同于第一穿透結(jié)構(gòu)在與第一方向相交的第二方向上的最大寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，當(dāng)從基底的第一側(cè)觀察時(shí)，第一穿透結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，第二穿透結(jié)構(gòu)在不同于第一方向的第二方向上延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第二方向是在第一方向與同第一方向正交的第三方向之間的方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一穿透結(jié)構(gòu)和第二穿透結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括：
第一穿透部，穿透基底；
第二穿透部，穿透基底，第二穿透部在第一方向上與第一穿透部間隔開；以及
連接部，連接第一穿透部和第二穿透部，連接部從基底的第一側(cè)穿透基底的一部分，并且連接部的底側(cè)在基底內(nèi)部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，還包括在基底的第一側(cè)上的層間絕緣膜，層間絕緣膜包括半導(dǎo)體元件，
其中，第一穿透結(jié)構(gòu)和第二穿透結(jié)構(gòu)中的每個(gè)包括第一穿透部、第二穿透部和連接部，第一穿透部和第二穿透部穿透層間絕緣膜和基底并沿第一方向布置，連接部穿透層間絕緣膜的一部分并連接第一穿透部和第二穿透部，并且
其中，連接部的底側(cè)在層間絕緣膜的內(nèi)部。
11.一種半導(dǎo)體裝置，包括：
基底，包括彼此背對的第一側(cè)和第二側(cè)；
第一貫穿過孔結(jié)構(gòu)，具有：
第一穿透部，穿透基底，
第二穿透部，穿透基底并在第一方向上與第一穿透部間隔開，以及
第一連接部，從基底的第一側(cè)穿透基底的一部分并連接第一穿透部和第二穿透部；
層間絕緣膜，在基底的第一側(cè)上，層間絕緣膜包括半導(dǎo)體元件；
布線結(jié)構(gòu)，在層間絕緣膜上；以及
連接端子，電連接到布線結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一貫穿過孔結(jié)構(gòu)還包括穿透基底并在第一方向上與第二穿透部間隔開的第三穿透部，第一連接部連接第二穿透部和第三穿透部。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，第一貫穿過孔結(jié)構(gòu)還包括：
第四穿透部，穿透基底，第四穿透部在與第一方向相交的第二方向上與第二穿透部間隔開；以及
第二連接部，從基底的第一側(cè)穿透基底的一部分，并且連接第二穿透部和第四穿透部。
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