[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210835458.3
• 申請日: 2022-07-15
• 公開（公告）號: CN115692378A
• 公開（公告）日: 2023-02-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李銑浩;姜明成
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L23/18;H01L25/04;H01L23/482
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 屈玉華

1.一種半導(dǎo)體封裝，包括：

第一半導(dǎo)體芯片；

第二半導(dǎo)體芯片，順序堆疊在所述第一半導(dǎo)體芯片上；

前連接焊盤，在每個所述第二半導(dǎo)體芯片的下表面上；

后連接焊盤，附接到所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片中的每個的上表面；

芯片連接端子，在所述前連接焊盤和所述后連接焊盤之間；以及

支撐結(jié)構(gòu)，在所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片之一之間以及在所述第二半導(dǎo)體芯片中的相鄰的第二半導(dǎo)體芯片之間，所述支撐結(jié)構(gòu)：

與所述前連接焊盤、所述后連接焊盤和所述芯片連接端子間隔開，

具有比所述芯片連接端子的垂直高度大的垂直高度，以及

包括金屬。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述支撐結(jié)構(gòu)包括：

第一支撐柱，附接到每個所述第二半導(dǎo)體芯片的所述下表面，以及

第二支撐柱，附接到所述第一半導(dǎo)體芯片的所述上表面或所述第二半導(dǎo)體芯片中的相應(yīng)第二半導(dǎo)體芯片的所述上表面，所述第二半導(dǎo)體芯片的所述上表面與所述第二半導(dǎo)體芯片的所述下表面相反。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一支撐柱的下表面接觸所述第二支撐柱的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一支撐柱具有基本上等于所述第二支撐柱的厚度的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述第二支撐柱具有大于所述第一支撐柱的厚度的厚度，以及

所述前連接焊盤具有基本上等于所述第一支撐柱的所述厚度的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述第一支撐柱具有大于所述第二支撐柱的厚度的厚度，以及

所述后連接焊盤具有基本上等于所述第二支撐柱的所述厚度的厚度。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述支撐結(jié)構(gòu)進一步包括在所述第一支撐柱的下表面和所述第二支撐柱的上表面之間的緩沖層，所述緩沖層由有機材料形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述緩沖層的厚度小于所述芯片連接端子的所述垂直高度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中：

所述第一半導(dǎo)體芯片包括第一襯底和在所述第一襯底的下表面上的第一布線層，所述第一襯底的所述下表面是所述第一半導(dǎo)體芯片的有源表面，

每個所述第二半導(dǎo)體芯片包括第二襯底和在所述第二襯底的下表面上的第二布線層，所述第二襯底的所述下表面是所述第二半導(dǎo)體芯片的有源表面，并且所述第二布線層包括布線圖案、連接到所述布線圖案的布線通路、以及圍繞所述布線圖案和所述布線通路的布線間絕緣層，以及

所述前連接焊盤和所述支撐結(jié)構(gòu)接觸所述布線圖案。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，進一步包括：

前虛設(shè)焊盤，在每個所述第二半導(dǎo)體芯片的所述下表面上，并與所述前連接焊盤和所述支撐結(jié)構(gòu)間隔開；

后虛設(shè)焊盤，附接到所述第一半導(dǎo)體芯片和所述第二半導(dǎo)體芯片中的每個的所述上表面，并與所述后連接焊盤和所述支撐結(jié)構(gòu)間隔開；以及

虛設(shè)連接端子，在所述前虛設(shè)焊盤和所述后虛設(shè)焊盤之間，

其中所述支撐結(jié)構(gòu)具有大于所述前連接焊盤、所述前虛設(shè)焊盤、所述后連接焊盤和所述后虛設(shè)焊盤的水平寬度的水平寬度。