[發(fā)明專利]一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210830346.9 | 申請日: | 2022-07-14 |
| 公開(公告)號: | CN115206869A | 公開(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊俊鋒;劉宇鵬;丁明建;馮毅龍;韋玉丙;羅育紅 | 申請(專利權)人: | 廣州天極電子科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/70 | 分類號: | H01L21/70;H01L27/01 |
| 代理公司: | 北京高沃律師事務所 11569 | 代理人: | 申素霞 |
| 地址: | 511400 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 金錫預 成型 拼裝 薄膜 電路板 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法,屬于薄膜電路技術領域。本發(fā)明先在單層薄膜電路板的一個薄膜電路表面涂布光刻膠,對待拼裝區(qū)域的光刻膠進行曝光和顯影,形成焊接窗口;之后在焊接窗口表面沉積金錫合金,形成沉積合金層,再去除光刻膠和光刻膠表面的金錫合金,形成金錫預成型焊盤,最后將金錫預成型焊盤與薄膜電路表面對接,熱壓后得到雙層薄膜電路板或多層薄膜電路板。本發(fā)明以金錫合金作為焊料,其導電性好,無需助焊劑、焊接后免清洗,不影響電路性能;本發(fā)明結合光刻和沉積技術在薄膜電路表面制備金錫預成型的焊盤,定位精度高,能夠提高多層薄膜電路板的可靠性。
技術領域
本發(fā)明涉及薄膜電路技術領域,特別涉及一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法。
背景技術
薄膜電路(Thin Film Circuits,TFC)是采用薄膜沉積工藝結合光刻、蝕刻工藝在氧化鋁、氮化鋁、微晶玻璃、藍寶石、石英玻璃、鐵氧體、微波陶瓷基片制備出電容器、電阻器、電感器、微帶線等而成的一種電子元件。由于薄膜電路往往應用于微波頻段,因此,薄膜電路又被稱之為微波集成電路(Microwave integrated Circuits,MIC)。
然而,傳統(tǒng)的薄膜電路工藝只能制備出單層電路板,即使使用雙面光刻技術,也只能在電路板的正反面制備出電路圖形,無法生產(chǎn)出兩層或兩層以上的多層基板的薄膜電路。薄膜電路難以制備多層電路的缺陷,一直制約著薄膜電路的發(fā)展。
也有一些多層薄膜電路的設想,即通過焊接的方式將兩塊或兩塊以上的單層薄膜電路板拼裝在一起形成多層薄膜電路。目前拼裝工藝常用的連接材料為導電膠、焊膏等,拼裝過程中導電膠和焊膏中的熔劑揮發(fā),對多層薄膜電路造成污染。這些污染極易殘存在多層薄膜電路的層與層之間,難以清洗干凈,導致電路性能下降。而且,導電膠或焊膏一般是通過絲印的方法印制在薄膜電路的焊盤上,這種工藝定位精度差,導致拼裝后的多層薄膜電路存在著焊接強度不高、可靠性差等缺點。
發(fā)明內容
有鑒于此,本發(fā)明目的在于提供一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法。本發(fā)明提供的拼裝方法不影響電路性能,定位精度高。
為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提供以下技術方案:
本發(fā)明提供了一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法,包括以下步驟:
(1)提供多個單層薄膜電路板,所述單層薄膜電路板包括基片和位于所述基片兩面的薄膜電路;
(2)在單層薄膜電路板的一個薄膜電路表面涂布光刻膠,對待拼裝區(qū)域的光刻膠進行曝光和顯影,得到含有焊盤窗口的薄膜電路板;
(3)在所述含有焊盤窗口的薄膜電路板表面沉積金錫合金,得到含有金錫合金層的薄膜電路板;
(4)去除所述含有金錫合金層的薄膜電路板的光刻膠及光刻膠表面的金錫合金,得到含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板;
(5)將一個含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板的金錫預成型焊盤與一個單層薄膜電路板的薄膜電路表面對接,進行熱壓,得到雙層薄膜電路板;
或者,將多個含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板按照金錫預成型焊盤-薄膜電路表面的順序依次對接,將最外層金錫預成型焊盤與一個單層薄膜電路板的薄膜電路表面對接,進行熱壓,得到多層薄膜電路板。
優(yōu)選的,所述金錫合金中金與錫的質量比為(70~80):(30~20)。
優(yōu)選的,所述金錫合金層的厚度為0.5~10μm。
優(yōu)選的,所述步驟(3)中沉積為電子束蒸發(fā)沉積;所述電子束蒸發(fā)沉積的靶材為金靶和錫靶。
優(yōu)選的,所述電子束蒸發(fā)沉積的參數(shù)包括:
本征真空度為1.0×10-4Pa~1.0×10-3Pa;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





