[發明專利]一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法

在審

• 申請號: 202210830346.9
• 申請日: 2022-07-14
• 公開（公告）號: CN115206869A
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 楊俊鋒;劉宇鵬;丁明建;馮毅龍;韋玉丙;羅育紅
• 申請（專利權）人: 廣州天極電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L27/01
• 代理公司: 北京高沃律師事務所 11569
• 代理人: 申素霞

1.一種金錫預成型拼裝薄膜電路板的方法，包括以下步驟：

(1)提供多個單層薄膜電路板，所述單層薄膜電路板包括基片和位于所述基片兩面的薄膜電路；

(2)在單層薄膜電路板的一個薄膜電路表面涂布光刻膠，對待拼裝區域的光刻膠進行曝光和顯影，得到含有焊盤窗口的薄膜電路板；

(3)在所述含有焊盤窗口的薄膜電路板表面沉積金錫合金，得到含有金錫合金層的薄膜電路板；

(4)去除所述含有金錫合金層的薄膜電路板的光刻膠及光刻膠表面的金錫合金，得到含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板；

(5)將一個含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板的金錫預成型焊盤與一個單層薄膜電路板的薄膜電路表面對接，進行熱壓，得到雙層薄膜電路板；

或者，將多個含有金錫預成型焊盤的薄膜電路板按照金錫預成型焊盤-薄膜電路表面的順序依次對接，將最外層金錫預成型焊盤與一個單層薄膜電路板的薄膜電路表面對接，進行熱壓，得到多層薄膜電路板。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述金錫合金中金與錫的質量比為(70～80):(30～20)。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述金錫合金層的厚度為0.5～10μm。

4.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)中沉積為電子束蒸發沉積；所述電子束蒸發沉積的靶材為金靶和錫靶。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述電子束蒸發沉積的參數包括：

本征真空度為1.0×10^-4Pa～1.0×10^-3Pa；

蒸發真空度為1.0～4.0Pa；

槍壓為2～6kV；

束流為20～200mA；

襯底溫度為150～220℃；

氬氣流量20～80mL/min；

沉積時間為2～8min。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(5)中熱壓的溫度為280～320℃，壓力為2～20gf/mm²；時間為15～240s。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中光刻膠的厚度為3～4μm。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)中焊盤窗口的長度為0.1～0.5mm，寬度為0.05～0.1mm；所述焊盤窗口的個數為2個。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(4)去除光刻膠及光刻膠表面的金錫合金的方法包括：

將所述含有金錫合金層的薄膜電路板浸于有機溶劑中，溶解光刻膠。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟(1)中單層薄膜電路板的制備方法，包括以下步驟：

在基片的上、下表面沉積功能層；

對所述導電材料層進行刻蝕和劃切，得到單層薄膜電路板。