[發明專利]一種陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜及其制備方法在審
| 申請號: | 202210829506.8 | 申請日: | 2022-07-15 |
| 公開(公告)號: | CN115010972A | 公開(公告)日: | 2022-09-06 |
| 發明(設計)人: | 趙躍;尹冬梅;張鍇;孟繁榮;孟皓;易磊 | 申請(專利權)人: | 南京先進生物材料與過程裝備研究院有限公司 |
| 主分類號: | C08J5/18 | 分類號: | C08J5/18;C08L5/08;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/22 |
| 代理公司: | 南京中律知識產權代理事務所(普通合伙) 32341 | 代理人: | 沈振濤 |
| 地址: | 210000 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 聚糖 納米 強度 復合 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
以二氧化鈦納米顆粒作為原料,依次進行表面羥基化、表面硅烷化修飾和接枝ATRP引發劑,然后通過表面引發原子轉移自由基聚合(SI-ATRP)的方法將甲基丙烯酸縮水甘油酯(GMA)接枝到納米二氧化鈦粒子表面,并使改性后的納米粒子TiO2-g-GMA均勻分散在殼聚糖溶液中,使納米粒子表面的環氧基團與殼聚糖基體中的氨基發生開環反應,最后脫除氣泡,制膜,即得所述陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜。
2.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,采用雙氧水進行所述表面羥基化,反應條件為:100-110℃,3-4h。
3.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,采用γ-氨丙基三乙氧基硅烷(APS)進行所述表面硅烷化修飾,反應條件為:70-90℃,20-28h。
4.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述ATRP引發劑選自2-溴異丁酰溴;接枝ATRP引發劑的反應條件為:在穩定劑存在下,在冰浴中反應3-5h,然后在室溫下反應20-28h;優選的,所述穩定劑選自三乙胺。
5.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述表面引發原子轉移自由基聚合(SI-ATRP)的方法,包括如下步驟:
將接枝ATRP引發劑的二氧化鈦納米顆粒與甲基丙烯酸縮水甘油酯單體混合,在催化劑存在下,在50-70℃的條件下反應20-28h;優選的,所述催化劑選自溴化亞銅和N,N,N’,N”,N”-五甲基二乙烯三胺。
6.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述殼聚糖溶液的濃度為0.5-0.7wt.%。
7.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述使改性后的納米粒子TiO2-g-GMA均勻分散在殼聚糖溶液中后,先進行超聲破碎,然后室溫攪拌反應68-76h,進行所述開環反應。
8.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,采用離心法脫除氣泡;在40~55℃加熱條件下制膜。
9.根據權利要求1所述的陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜的制備方法,其特征在于,所述陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜中,改性后的二氧化鈦納米粒子TiO2-g-GMA的質量分數為10%~30%。
10.一種陶瓷/殼聚糖納米高強度復合薄膜,由權利要求1-9任一項所述制備方法制得。
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