[發(fā)明專利]一種多晶圓跳測賦值方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202210823043.4
• 申請日: 2022-07-14
• 公開（公告）號: CN114896238B
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王倩;王曉明;趙曉明;董國慶;文國昇;金從龍
• 申請（專利權(quán)）人: 江西兆馳半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: G06F16/215
• 分類號: G06F16/215;G06F16/2455
• 代理公司: 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 何世磊

本發(fā)明提供了一種多晶圓跳測賦值方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，所述方法包括根據(jù)WAT抽檢站點的良率，判斷良率是否大于預(yù)設(shè)值；若是則沿著預(yù)定方向按照預(yù)設(shè)間距針對多晶圓進行跳測抽檢，獲取若干抽檢晶粒的數(shù)據(jù)；沿著預(yù)定方向依序判斷相鄰兩抽檢晶粒所對應(yīng)的數(shù)據(jù)是否均處于預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)；根據(jù)不同情況采取相應(yīng)的賦值方法針對未測試晶粒數(shù)據(jù)進行賦值，以使輸出多晶圓的全部晶粒數(shù)據(jù)。本申請基于芯片晶圓的光電性參數(shù)均勻分布的特性，對整片晶圓上的晶粒按照預(yù)設(shè)間距跳測，未測試晶粒通過結(jié)合復(fù)制方式及線性方式進行補值，確保測試準(zhǔn)確度的同時提升測試產(chǎn)能，以滿足晶圓的尺寸越來越小、產(chǎn)量幾何式增長的需求。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于晶圓光電參數(shù)測試的技術(shù)領(lǐng)域，具體地涉及一種多晶圓跳測賦值方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)。

背景技術(shù)

在LED等二極管的制造過程中，需要對二極管的晶圓進行光性參數(shù)和電性參數(shù)的測試。隨著技術(shù)的發(fā)展，點測機采用多組測試探針接通多個芯片正負電極進行多個芯片的光電測試?，F(xiàn)有的多組測試探針進行光電測試的方法是：首先，將晶圓上的芯片根據(jù)每臺測試設(shè)備所連接的測試探針的組數(shù)分組；然后，將與多臺測試設(shè)備連接的多組測試探針同時扎到對應(yīng)的多個芯片的N電極和P電極上并接通芯片的正負電極對晶圓上的所有芯片進行完整的光電性能測試。

目前主流的點測機測試電性參數(shù)均采用四個晶圓并測方式?，F(xiàn)有點測機的測試方法雖然針對晶圓的電性參數(shù)可以實現(xiàn)四個晶圓同時測試，但是，晶圓的光性參數(shù)需按照順序逐一進行測試，耗時較久，難以滿足晶圓的尺寸越來越小、產(chǎn)量幾何式增長的現(xiàn)狀，足以說明現(xiàn)有點測機的測試方法導(dǎo)致現(xiàn)有點測機的測試產(chǎn)能達到瓶頸。

因此，如何基于現(xiàn)有的點測機設(shè)備能力基礎(chǔ)上，提出一種測試效率高及測試準(zhǔn)確度高的測試方法，是業(yè)內(nèi)值得研究的課題。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種多晶圓跳測賦值方法、系統(tǒng)、電子設(shè)備及存儲介質(zhì)，基于芯片晶圓的光電性參數(shù)均勻分布的特性，對整片晶圓上的晶粒按照預(yù)設(shè)間距跳測，未測試晶粒通過結(jié)合復(fù)制方式及線性方式進行補值，確保測試準(zhǔn)確度的同時提升測試產(chǎn)能，以滿足晶圓的尺寸越來越小、產(chǎn)量幾何式增長的需求。

第一方面，本申請?zhí)峁┮环N多晶圓跳測賦值方法，包括：

根據(jù)WAT抽檢站點的良率，判斷所述良率是否大于預(yù)設(shè)值；

若是，則沿著預(yù)定方向按照預(yù)設(shè)間距針對多晶圓進行跳測抽檢，獲取若干抽檢晶粒的數(shù)據(jù)；其中，所述數(shù)據(jù)包括電性參數(shù)和光性參數(shù)；

沿著所述預(yù)定方向依序判斷相鄰兩所述抽檢晶粒所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)是否均處于預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)；

若是，則針對相鄰兩所述抽檢晶粒之間的未測試晶粒數(shù)據(jù)進行賦值；其中，所述未測試晶粒數(shù)據(jù)的電性參數(shù)的賦值按照復(fù)制方式進行補充，以及光性參數(shù)的賦值按照線性方式補充；

若否，則基于當(dāng)前抽檢晶粒按照預(yù)設(shè)擴大范圍在所述抽檢晶粒中查找到目標(biāo)抽檢晶粒，并將所述當(dāng)前抽檢晶粒與所述目標(biāo)抽檢晶粒之間的未測試晶粒的數(shù)據(jù)進行賦值；其中，所述當(dāng)前抽檢晶粒及所述目標(biāo)抽檢晶粒的數(shù)據(jù)均處于所述預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)；

輸出所述多晶圓的全部晶粒數(shù)據(jù)。

較佳地，沿著所述預(yù)定方向依序判斷相鄰兩所述抽檢晶粒所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)是否均處于預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)的步驟之后，所述方法包括：

若沿著所述預(yù)定方向依序判斷相鄰兩所述抽檢晶粒所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)不處于預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)，則基于當(dāng)前抽檢晶粒按照預(yù)設(shè)擴大范圍在所述抽檢晶粒中未查找到目標(biāo)抽檢晶粒，并將所述預(yù)設(shè)擴大范圍內(nèi)的未測試晶粒的數(shù)據(jù)放棄賦值；其中，所述當(dāng)前抽檢晶粒及所述目標(biāo)抽檢晶粒的數(shù)據(jù)均處于所述預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)。

較佳地，沿著所述預(yù)定方向依序判斷相鄰兩所述抽檢晶粒所對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)是否均處于預(yù)設(shè)卡控范圍內(nèi)的步驟之后，所述方法包括：