[發(fā)明專利]半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202210799317.0
• 申請(qǐng)日: 2022-07-08
• 公開（公告）號(hào): CN115623788A
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔元根
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): H10B43/27
• 分類號(hào): H10B43/27;H10B43/35;H10B43/10;H10B41/27;H10B41/35;H10B41/10
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 原宏宇;張美芹

提供一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制造方法。該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)，二者在第一方向上延伸；第三溝道結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)之間并且在第一方向上延伸；以及多個(gè)導(dǎo)電層，其圍繞第一溝道結(jié)構(gòu)、第二溝道結(jié)構(gòu)和第三溝道結(jié)構(gòu)，該多個(gè)導(dǎo)電層被層疊以在第一方向上彼此間隔開。第三溝道結(jié)構(gòu)與第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)間隔開，并且沒有插置多個(gè)導(dǎo)電層。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各種實(shí)施方式總體涉及一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制造方法，更具體地，涉及一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置和一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置可以包括能夠存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多個(gè)存儲(chǔ)器單元。三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的多個(gè)存儲(chǔ)器單元可以三維地布置。在三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置中，多個(gè)存儲(chǔ)器單元可以通過貫穿柵極層疊結(jié)構(gòu)的溝道結(jié)構(gòu)串聯(lián)連接。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：第一溝道結(jié)構(gòu)，該第一溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸；第二溝道結(jié)構(gòu)，該第二溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸；第三溝道結(jié)構(gòu)，該第三溝道結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，其中，第三溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)之間；以及多個(gè)導(dǎo)電層，該多個(gè)導(dǎo)電層圍繞第一溝道結(jié)構(gòu)、第二溝道結(jié)構(gòu)和第三溝道結(jié)構(gòu)，其中，多個(gè)導(dǎo)電層在第一方向上層疊，并且在第一方向上彼此間隔開，并且其中，第三溝道結(jié)構(gòu)與第一溝道結(jié)構(gòu)間隔開，并且多個(gè)導(dǎo)電層未插置在第三溝道結(jié)構(gòu)和第一溝道結(jié)構(gòu)之間，并且其中，第三溝道結(jié)構(gòu)與第二溝道結(jié)構(gòu)間隔開，并且多個(gè)導(dǎo)電層未插置在第三溝道結(jié)構(gòu)和第二溝道結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本公開的另一實(shí)施方式，提供了一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：多條位線；摻雜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，該摻雜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與多條位線交疊；柵極層疊結(jié)構(gòu)，該柵極層疊結(jié)構(gòu)包括被設(shè)置為在摻雜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)面對(duì)多條位線的第一方向上彼此間隔開的多個(gè)導(dǎo)電層，柵極層疊結(jié)構(gòu)包括第一溝道孔和第二溝道孔，其中，第一溝道孔和第二溝道孔貫穿多個(gè)導(dǎo)電層，并且其中，第一溝道孔和第二溝道孔彼此相交；第一溝道結(jié)構(gòu)，該第一溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一溝道孔的內(nèi)部；第二溝道結(jié)構(gòu)，該第二溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一溝道孔的內(nèi)部，其中，第二溝道孔將第一溝道結(jié)構(gòu)與第二溝道結(jié)構(gòu)隔開；第一存儲(chǔ)器層，該第一存儲(chǔ)器層沿著第一溝道孔的側(cè)壁延伸；第二存儲(chǔ)器層，該第二存儲(chǔ)器層沿著第一溝道孔的側(cè)壁延伸，其中，第二溝道孔將第一存儲(chǔ)器層與第二存儲(chǔ)器層隔開；第三溝道結(jié)構(gòu)，該第三溝道結(jié)構(gòu)設(shè)置在第一溝道孔和第二溝道孔彼此交疊的交疊區(qū)域中；以及第三存儲(chǔ)器層，該第三存儲(chǔ)器層沿著第三溝道結(jié)構(gòu)的側(cè)壁延伸。

根據(jù)本公開的又一實(shí)施方式，提供了一種制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的方法，該方法包括：形成貫穿層疊結(jié)構(gòu)的第一溝道孔；沿著第一溝道孔的表面形成初步存儲(chǔ)器層；在初步存儲(chǔ)器層上形成初步溝道層；形成與第一溝道孔相交的第二溝道孔，第二溝道孔貫穿初步存儲(chǔ)器層和初步溝道層；在第二溝道孔內(nèi)部形成存儲(chǔ)器層；以及形成設(shè)置在第二溝道孔的內(nèi)部的溝道層，溝道層沿著存儲(chǔ)器層的表面延伸。

附圖說明

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更全面地描述實(shí)施方式的示例。然而，實(shí)施方式可以以不同的形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文闡述的實(shí)施方式。相反，提供這些實(shí)施方式是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)本公開。

在附圖中，為了圖示清楚，可能放大尺寸。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件被稱為位于兩個(gè)元件“之間”時(shí)，該一個(gè)元件可以是該兩個(gè)元件之間的唯一元件，或者也可以存在一個(gè)或更多個(gè)中間元件。應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥缺环Q為位于另一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥取吧稀薄⒒蛘摺斑B接到”或“聯(lián)接到”另一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥葧r(shí)，該一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥瓤梢灾苯游挥谠摿硪粋€(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥壬希蛘咧苯舆B接到或聯(lián)接到該另一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥龋蛘呖梢源嬖谥虚g元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥取Ｏ喾矗?dāng)一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)颖环Q為“直接”位于另一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥取吧稀保爸苯舆B接到”或“直接聯(lián)接到”另一個(gè)元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥葧r(shí)，不存在中間元件、結(jié)構(gòu)或?qū)拥取Ｏ嗤母綀D標(biāo)記始終表示相同的元件。

圖1是示意性示出根據(jù)本公開的一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置的框圖。