[發明專利]一種硅晶片清洗劑及其制備方法

在審

• 申請號: 202210795380.7
• 申請日: 2022-07-07
• 公開（公告）號: CN115044421A
• 公開（公告）日: 2022-09-13
• 發明（設計）人: 江銘榮
• 申請（專利權）人: 宜興市華青潤滑材料科技有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/32;C11D3/37;C11D3/48;C11D3/60
• 代理公司: 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297
• 代理人: 周高

本發明提供一種硅晶片清洗劑，涉及硅晶片領域，所述硅晶片清洗劑包括重量份數的如下組分：20?30份的基底材料，10?15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6?10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2?5份的殺菌劑，2?5份的二乙二醇、1?3份的消泡劑、5?8份的硅酸鹽類抗氧化劑和30?40份的純水；此外，還提供了硅晶片清洗劑的制備方法，包括：加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，攪拌至均勻，得到基底溶液；向基底溶液中邊攪拌邊加入純水；向反應容器中加入剩余材料，攪拌均勻，得到最終成品；通過上述技術方案，解決現有技術中硅晶片清洗劑中涉及到多種包含鈉的金屬離子，清洗結束后容易產生金屬離子殘留，從而影響清洗效果的問題。

技術領域

本發明涉及硅晶片領域，特別是涉及一種硅晶片清洗劑及其制備方法。

背景技術

硅晶片具有良好的光電效應，是太陽能電池的主要材料，但在其加工過程中，往往有一些有機物、金屬殘渣的雜質附著在硅晶片表面而影響其工作性能，降低太陽能的轉化率，因而，硅晶片需進行表面清潔。

目前，國內公開利用了一種硅晶片清洗劑及其制備方法(公布號：CN105907489A)，其包括：氫氧化鈉3-9份、無水碳酸鈉2-8份、偏硅酸鈉3-9份、乙二胺四乙酸二鈉5-8份、琥珀酸二辛酯磺酸鈉2-6份、OP-102-5份、十二烷基苯磺酸鈉4-9份、全氟己基乙酸鹽表面活性劑3-9份、10-三氟甲氧基癸烷磺酸鈉2-7份、全氟己基乙基甲基二羥乙基碘化銨1-4份、吐溫804-9份、聚乙二醇3-6份、三乙醇胺1-3份、正丁醇2-5份、異丙醇1-4份、去離子水 10-20份。

這種硅晶片清洗劑中涉及到多種包含鈉的金屬離子，清洗結束后容易產生金屬離子殘留，從而影響清洗效果。

發明內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種硅晶片清洗劑，用于解決現有技術中硅晶片清洗劑中涉及到多種包含鈉的金屬離子，清洗結束后容易產生金屬離子殘留，從而影響清洗效果的問題，同時，本發明還將提供硅晶片清洗劑的制備方法。

為實現上述目的及其他相關目的，

本發明的第一方面，提供一種硅晶片清洗劑，所述硅晶片清洗劑包括重量份數的如下組分：20-30份的基底材料，10-15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6-10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2-5份的殺菌劑，2-5份的二乙二醇、1-3份的消泡劑、5-8份的硅酸鹽類抗氧化劑和30-40份的純水。

通過上述技術方案，選用了兩種不同HLB值的脂肪醇聚氧乙烯醚，利用不同HLB值的脂肪醇聚氧乙烯醚的親水親油特性分別對硅晶片表面的水溶性或不溶于水的離子進行針對性處理，以其代替常規的強堿性物質，此外，還添加了基底材料作為基底清洗試劑，添加了消泡劑避免最終的硅晶片清洗劑嚴重起泡。

于本發明的一實施例中，所述硅晶片清洗劑包括重量份數的如下組分：20份的基底材料，10份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，8份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2份的殺菌劑，5 份的二乙二醇、1份的消泡劑、5份的硅元素抗氧化劑和40份的純水。

于本發明的一實施例中，所述基底材料為環氧乙烷。

通過上述技術方案，環氧乙烷是能夠取代氫原子的活潑化合物，其很容易發生加成反應而加成聚合為醚類表面活性劑。

于本發明的一實施例中，所述低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值為2～3，所述高HLB 值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值為14～15。

通過上述技術方案，HLB值為2～3的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚親油性較強，屬于親油性表面活性劑，針對于不溶于水的雜質有良好的清潔效果，HLB值為14～15的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚親水性較強，屬于親水性表面活性劑，針對于溶于水的雜質有良好的清潔效果，兩種脂肪醇聚氧乙烯醚共同作用，能夠提升對硅晶片表面的清潔力。