[發明專利]一種硅晶片清洗劑及其制備方法在審
| 申請號： | 202210795380.7 | 申請日： | 2022-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN115044421A | 公開（公告）日： | 2022-09-13 |
| 發明（設計）人： | 江銘榮 | 申請（專利權）人： | 宜興市華青潤滑材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C11D1/83 | 分類號： | C11D1/83;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/32;C11D3/37;C11D3/48;C11D3/60 |
| 代理公司： | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 周高 |
| 地址： | 214200 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶片 洗劑 及其 制備 方法 | ||
1.一種硅晶片清洗劑，其特征在于，所述硅晶片清洗劑包括重量份數的如下組分：20-30份的基底材料，10-15份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，6-10份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2-5份的殺菌劑，2-5份的二乙二醇、1-3份的消泡劑、5-8份的硅酸鹽類抗氧化劑和30-40份的純水。
2.根據權利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述硅晶片清洗劑包括重量份數的如下組分：20份的基底材料，10份的低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，8份的高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，2份的殺菌劑，5份的二乙二醇、1份的消泡劑、5份的硅元素抗氧化劑和40份的純水。
3.根據權利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述基底材料為環氧乙烷。
4.根據權利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值為2～3，所述高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚的HLB值為14～15。
5.根據權利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述殺菌劑為IPBC、BIJ-20中的任意一種或兩種的混合。
6.根據權利要求1所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述消泡劑為硅烷基聚醚消泡劑。
7.根據權利要求1或4所述的硅晶片清洗劑，其特征在于：所述高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚上銜接環氧丙烷。
8.一種制備如權利要求1-7任一項所述硅晶片清洗劑的方法，其特征在于，包括如下步驟：
S1：向反應容器中加入低HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚和高HLB值脂肪醇聚氧乙烯醚，攪拌至均勻，得到基底溶液
S2：向步驟S1中得到的基底溶液中邊攪拌邊加入純水，攪拌時間為4-8h；
S3：向反應容器中加入基底材料、殺菌劑、二乙二醇、消泡劑和硅酸鹽類抗氧化劑，攪拌均勻，得到最終成品。
9.根據權利要求8所述硅晶片清洗劑的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中攪拌時間為0.5h。
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