[發明專利]一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件及其制備方法有效
| 申請號: | 202210794756.2 | 申請日: | 2022-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN114864631B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 劉冬雪;代慧濤;何振峰;楊靜;孫天歌;董一昕;尚子雅;顏步一;張鷺 | 申請(專利權)人: | 中國長江三峽集團有限公司;杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;H01L27/28;H01L31/02;H01L31/0463;H01L31/054;H01L31/055;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250 | 代理人: | 周淑歌 |
| 地址: | 100038 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 晶硅疊層 電池 組件 及其 制備 方法 | ||
1.一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,包括:
層疊設置的晶硅電池組和第一鈣鈦礦電池組,所述晶硅電池組包括至少一個晶硅電池,所述第一鈣鈦礦電池組包括至少一個第一鈣鈦礦電池;
所述晶硅電池朝向所述第一鈣鈦礦電池組的一側表面具有第一柵線,所述第一柵線包括若干第一副柵以及與若干所述第一副柵連接的第一主柵,所述第一鈣鈦礦電池具有切割線,所述切割線在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內;
所述第一鈣鈦礦電池包括:
遠離所述晶硅電池組的第一透明電極陣列和第一引出件,所述第一透明電極陣列包括若干第一透明電極;所述第一引出件至少位于所述第一透明電極的側部,所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件適于電學連接所述第一透明電極與所述第一主引出件;所述第一副引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內,所述第一主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一主柵內;
靠近所述晶硅電池組的第二透明電極陣列和第二引出件,所述第二透明電極陣列包括若干第二透明電極,所述第二透明電極與所述第一透明電極相對設置;所述第二引出件至少位于所述第二透明電極的側部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件,所述第二副引出件適于電學連接所述第二透明電極與所述第二主引出件;所述第二副引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內,所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一主柵內。
2.根據權利要求1所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,所述第一主引出件與所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于同一所述第一主柵內;或者,所述第一主引出件與所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影分別位于兩條所述第一主柵內。
3.根據權利要求1所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,
所述第一副引出件包括第一段和第二段,所述第一段連接靠近所述第一主引出件的第一透明電極和所述第一主引出件,所述第二段連接相鄰所述第一透明電極;
所述第二副引出件包括第四段和第五段,所述第四段連接靠近所述第二主引出件的第二透明電極和所述第二主引出件,所述第五段連接相鄰所述第二透明電極。
4.根據權利要求3所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,
所述第一副引出件還包括第三段,所述第三段與所述第一段背離所述第一主引出件的一端、以及所述第二段的至少一端連接,所述第三段與所述第一透明電極背離所述晶硅電池的部分表面接觸;
和/或,所述第二副引出件還包括第六段,所述第六段與所述第四段背離所述第二主引出件的一端、以及所述第五段的至少一端連接,所述第六段與所述第二透明電極朝向所述晶硅電池的部分表面接觸。
5.根據權利要求1至4任一項所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,所述第二引出件的厚度為2nm~10nm。
6.根據權利要求1至4任一項所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,還包括:位于所述第一鈣鈦礦電池組背離所述晶硅電池組的一側表面的第一封裝基板,所述第一封裝基板朝向所述晶硅電池組的一側表面包括相對設置的第一匯流區和第二匯流區、以及位于所述第一匯流區和第二匯流區之間的光電反應區;
所述第一鈣鈦礦電池還包括:位于所述第一匯流區的第一匯流件,所述第一匯流件與所述第一主引出件連接;位于所述第二匯流區的第二匯流件,所述第二匯流件與所述第二主引出件連接且與所述第一引出件和/或第一透明電極間隔;所述第一匯流件與第二匯流件在第一封裝基板的正投影均與所述晶硅電池在所述第一封裝基板上的正投影不重合。
7.根據權利要求6所述的鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,其特征在于,所述第一鈣鈦礦電池與所述晶硅電池一一對應相對設置,所述第一鈣鈦礦電池的側壁至第一鈣鈦礦電池的中心之間的橫向距離大于與其相對設置的所述晶硅電池的側壁至晶硅電池的中心之間的橫向距離。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





