[發明專利]一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件及其制備方法有效
| 申請號: | 202210794756.2 | 申請日: | 2022-07-07 |
| 公開(公告)號: | CN114864631B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發明(設計)人: | 劉冬雪;代慧濤;何振峰;楊靜;孫天歌;董一昕;尚子雅;顏步一;張鷺 | 申請(專利權)人: | 中國長江三峽集團有限公司;杭州纖納光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/30 | 分類號: | H01L27/30;H01L27/28;H01L31/02;H01L31/0463;H01L31/054;H01L31/055;H01L31/18;H01L51/42;H01L51/48 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 晶硅疊層 電池 組件 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體涉及一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件及其制備方法。鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件包括:層疊設置的晶硅電池組和第一鈣鈦礦電池組,晶硅電池組包括至少一個晶硅電池,第一鈣鈦礦電池組包括至少一個第一鈣鈦礦電池;晶硅電池朝向第一鈣鈦礦電池組的一側表面具有第一柵線,第一柵線包括若干第一副柵,第一鈣鈦礦電池具有切割線,切割線在晶硅電池表面的正投影位于部分第一副柵內。所述鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件的熱斑效應減弱,從而減緩了由于熱斑效應導致的晶硅電池的衰減速度,提高了鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件的光電性能的穩定性。
技術領域
本發明涉及太陽能電池技術領域,具體涉及一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件及其制備方法。
背景技術
作為第一代太陽能電池,晶硅電池經過數十年的技術革新,其量產效率不斷提升,目前實驗室規模的晶硅電池轉換效率已不斷接近轉化效率極限。為了進一步光電轉換效率,目前研究學者已經將目光轉移到疊層電池。鈣鈦礦電池具有輕質、高效、可靈活制備等特點,其光電轉換效率已達到25.7%,這使它成為非常理想的疊層電池子電池。
在四端子鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件中,鈣鈦礦電池與晶硅電池層疊設置,且鈣鈦礦電池與晶硅電池的電路相互獨立,即,透過鈣鈦礦電池的部分太陽光能夠被晶硅電池吸收,使鈣鈦礦電池與晶硅電池同時發生光電轉換,且產生的電能分別傳輸至外。
然而,現有鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件中,晶硅電池受到鈣鈦礦電池中部分結構的遮擋,導致入射到晶硅電池表面的光不均勻,從而引起熱斑效應,進而加速晶硅電池的衰減,對鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件造成嚴重影響。
發明內容
因此,本發明要解決的技術問題在于如何緩解現有鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件中晶硅電池的熱斑效應,從而提供一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件及其制備方法。
本發明提供一種鈣鈦礦/晶硅疊層電池組件,包括:層疊設置的晶硅電池組和第一鈣鈦礦電池組,所述晶硅電池組包括至少一個晶硅電池,所述第一鈣鈦礦電池組包括至少一個第一鈣鈦礦電池;所述晶硅電池朝向所述第一鈣鈦礦電池組的一側表面具有第一柵線,所述第一柵線包括若干第一副柵,所述第一鈣鈦礦電池具有切割線,所述切割線在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內。
可選的,所述第一柵線還包括與若干所述第一副柵連接的第一主柵;所述第一鈣鈦礦電池包括:
遠離所述晶硅電池組的第一透明電極陣列和第一引出件,所述第一透明電極陣列包括若干第一透明電極;所述第一引出件至少位于所述第一透明電極的側部,所述第一引出件包括第一主引出件和若干第一副引出件,所述第一副引出件適于電學連接所述第一透明電極與所述第一主引出件;所述第一副引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內,所述第一主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一主柵內;
靠近所述晶硅電池組的第二透明電極陣列和第二引出件,所述第二透明電極陣列包括若干第二透明電極,所述第二透明電極與所述第一透明電極相對設置;所述第二引出件至少位于所述第二透明電極的側部,所述第二引出件包括第二主引出件和若干第二副引出件,所述第二副引出件適于電學連接所述第二透明電極與所述第二主引出件;所述第二副引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一副柵內,所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于部分所述第一主柵內。
可選的,所述第一主引出件與所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影位于同一所述第一主柵內;或者,所述第一主引出件與所述第二主引出件在所述晶硅電池表面的正投影分別位于兩條所述第一主柵內。
可選的,所述第一副引出件包括第一段和第二段,所述第一段連接靠近所述第一主引出件的第一透明電極和所述第一主引出件,所述第二段連接相鄰所述第一透明電極;所述第二副引出件包括第四段和第五段,所述第四段連接靠近所述第二主引出件的第二透明電極和所述第二主引出件,所述第五段連接相鄰所述第二透明電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





