[發(fā)明專利]基于引線框架類垂直封裝的SIP模組

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• 申請日: 2022-07-07
• 公開（公告）號(hào): CN115188720A
• 公開（公告）日: 2022-10-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 銀光耀
• 申請（專利權(quán)）人: 中為先進(jìn)封裝技術(shù)（深圳）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/29
• 分類號(hào): H01L23/29;H01L23/31;H01L23/42;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/498
• 代理公司: 北京匯眾通達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11622
• 代理人: 康欣雷

本發(fā)明公開了基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，包括引線框架、IC芯片層、導(dǎo)線，所述IC芯片層通過膠體粘接于引線框架上形成固晶，所述引線框架與IC芯片層之間通過導(dǎo)線電性連接或倒裝連接，所述引線框架的頂部注塑有環(huán)氧塑封料形成環(huán)氧樹脂、ABF塑封層，所述固晶位于環(huán)氧樹脂、ABF塑封層與引線框架之間。本發(fā)明，垂直封裝的工藝大大降低了互聯(lián)以及傳輸?shù)墓膽?yīng)用引線框架的結(jié)構(gòu)，IC芯片層直接固結(jié)在金屬基板的引線框架上面形成固晶，配合金屬層進(jìn)一步提高散熱面積，解決了大功率大電流散熱的問題，采用三維垂直的方式安裝導(dǎo)線，工藝簡單，效率高，大提高芯片的性能。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體模組封裝領(lǐng)域，更具體地說，涉及基于引線框架類垂直封裝的SIP模組。

背景技術(shù)

隨著現(xiàn)代電子裝備對微電子封裝及互聯(lián)密度提出了更高的要求，其對更輕、更薄、更小、更高可靠性、更低功耗的不斷追求，推動(dòng)微電子封裝和互聯(lián)朝著密度更高的三維方式發(fā)展，高密度3D互聯(lián)封裝能夠最大限度地靈活應(yīng)用各種芯片資源和封裝互聯(lián)技術(shù)，近年來獲得迅速發(fā)展，成為實(shí)現(xiàn)整機(jī)系統(tǒng)集成的必然趨勢。

現(xiàn)有技術(shù)是在多層加法載板上面疊加，芯片的散熱全是靠著導(dǎo)線引腳來散熱，這樣帶來的是器件的散熱性能不足以及成本高昂，且傳統(tǒng)的集成電路封裝主要采用二維結(jié)構(gòu)單片封裝，然而這些傳統(tǒng)封裝內(nèi)空間利用率極低且互連普遍較長，容易引發(fā)極其復(fù)雜的互連寄生效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致信號(hào)畸變，嚴(yán)重影響芯片的性能，故而提出了基于引線框架類垂直封裝的SIP模組來解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，以解決現(xiàn)有技術(shù)是在多層加法載板上面疊加，芯片的散熱全是靠著導(dǎo)線引腳來散熱，這樣帶來的是器件的散熱性能不足以及成本高昂，且傳統(tǒng)的集成電路封裝主要采用二維結(jié)構(gòu)單片封裝，然而這些傳統(tǒng)封裝內(nèi)空間利用率極低且互連普遍較長，容易引發(fā)極其復(fù)雜的互連寄生效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致信號(hào)畸變，嚴(yán)重影響芯片的性能的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明采用如下的技術(shù)方案。

基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，包括引線框架、IC芯片層、導(dǎo)線，所述IC芯片層通過膠體粘接于引線框架上形成固晶，所述引線框架與IC芯片層之間通過導(dǎo)線電性連接或倒裝連接，所述引線框架的頂部注塑有環(huán)氧塑封料形成環(huán)氧樹脂、ABF塑封層，所述固晶位于環(huán)氧樹脂、ABF塑封層與引線框架之間，所述導(dǎo)線穿插于環(huán)氧樹脂、ABF塑封層的內(nèi)側(cè)，所述環(huán)氧樹脂、ABF塑封層的頂部設(shè)置金屬層，所述金屬層的底部貫穿環(huán)氧樹脂、ABF塑封層并與引線框架連接，所述金屬層的頂部設(shè)置有貼封層，所述貼封層包含但不局限于二次封裝固晶與貼片垂直結(jié)構(gòu)，其中在IC芯片層設(shè)置有其它模組類封裝需要的芯片及被動(dòng)元器件。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述引線框架包含有芯片焊盤、被動(dòng)元器件盤與兩個(gè)外接垂直結(jié)構(gòu)導(dǎo)通焊盤。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述引線框架焊盤上設(shè)置有若干個(gè)外接垂直導(dǎo)孔引腳接頭，所述引腳接頭包含但不局限于輸出電壓、地線、信號(hào)電壓、使能、反饋等。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述金屬層為銅金屬、鎳銅雙層金屬與半導(dǎo)體中應(yīng)用的任何金屬中的一種。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述環(huán)氧樹脂、ABF塑封層上通過垂直導(dǎo)孔工藝形成通孔，所述金屬層的底部通過通孔與引線框架連接，任何通孔的工藝都在此發(fā)明中可以應(yīng)用。

作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步描述：

所述引線框架的厚度為100-500μm。

相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于：