[發(fā)明專利]基于引線框架類垂直封裝的SIP模組在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210793397.9 | 申請日： | 2022-07-07 |
| 公開（公告）號： | CN115188720A | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 銀光耀 | 申請（專利權(quán)）人： | 中為先進(jìn)封裝技術(shù)（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/29 | 分類號： | H01L23/29;H01L23/31;H01L23/42;H01L23/48;H01L23/495;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京匯眾通達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11622 | 代理人： | 康欣雷 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 引線 框架 垂直 封裝 sip 模組 | ||
1.基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：包括引線框架(1)、IC芯片層、導(dǎo)線(3)，所述IC芯片層通過膠體粘接于引線框架(1)上形成固晶(2)，所述引線框架(1)與IC芯片層之間通過導(dǎo)線(3)電性連接，所述引線框架(1)的頂部注塑有環(huán)氧塑封料形成環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)，所述固晶(2)位于環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)與引線框架(1)之間，所述導(dǎo)線(3)穿插于環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)的內(nèi)側(cè)，所述環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)的頂部設(shè)置金屬層(5)，所述金屬層(5)的底部貫穿環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)并與引線框架(1)連接，所述金屬層(5)的頂部設(shè)置有貼封層(6)，所述貼封層(6)包含但不局限于二次封裝固晶與貼片垂直結(jié)構(gòu)，其中在IC芯片層設(shè)置有其它模組類封裝需要的芯片及被動元器件(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：所述引線框架(1)包含有芯片焊盤(11)、被動元器件盤(12)與兩個外接垂直結(jié)構(gòu)導(dǎo)通焊盤(13)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：所述引線框架焊盤(13)上設(shè)置有若干個外接垂直導(dǎo)孔引腳接頭，所述引腳接頭包含但不局限于輸出電壓、地線、信號電壓、使能、反饋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：所述金屬層(5)為銅金屬、鎳銅雙層金屬與半導(dǎo)體中應(yīng)用的任何金屬中的一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：所述環(huán)氧樹脂、ABF塑封層(4)上通過垂直導(dǎo)孔工藝形成通孔(41)，所述金屬層(5)的底部通過通孔(41)與引線框架(1)連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于引線框架類垂直封裝的SIP模組，其特征在于：所述引線框架(1)的厚度為100-500μm。
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