[發明專利]一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法

在審

• 申請號: 202210789509.3
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115172255A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 胡孝偉;代文亮;袁琳;黃志遠;張競顥;崔云輝
• 申請（專利權）人: 上海芯波電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L49/02;H03H3/02
• 代理公司: 上海樂泓專利代理事務所(普通合伙) 31385
• 代理人: 蘇杰

1.一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、制備襯底，并對其表面進行清洗；

S2、在所述襯底上制備應力改善緩沖層；

S3、在所述應力改善緩沖層上制備電容，所述電容包括至下而上依次分布的下電極、介質層和上電極；

S4、在所述應力改善緩沖層上制備螺旋電感；

S5、制備第一PI層、第一金屬走線和第二PI層，所述第一PI層覆蓋在所述電容、螺旋電感和所述襯底上，所述第二PI層設置在所述第一PI層的上方，所述第一金屬走線位于所述第一PI層和第二PI層之間；

S6、在所述第二PI層上制備連接凸點和第二金屬走線，通過第一金屬走線和第二金屬走線使所述電容、螺旋電感與所述連接凸點相導通，形成IPD濾波器本體；

S7、對所述IPD濾波器本體進行減薄和切割后進行封裝。

2.如權利要求1所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S1包括：

S11、制備二氧化硅玻璃襯底；

S12、用等離子體清洗所述襯底的表面。

3.如權利要求2所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S2包括：

S21、通過采用teos源pecvd生長SiO₂膜層的工藝，在所述襯底的上表面覆蓋一層2000A以上的SiO₂膜層；

S22、通過化學拋光研磨工藝，對SiO₂膜層進行拋光，使其表面平坦化。

4.如權利要求3所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述下電極的制備過程如下：

S311、在所述SiO₂膜層的上表面通過PVD工藝做第一金屬種籽層；

S312、通過帶膠電鍍工藝做5～10um的銅制管腳；

S313、去膠并通過刻蝕工藝去除多余的第一金屬種籽層，獲取下電極金屬膜層；

S314、對所述下電極金屬膜層進行CMP工藝處理；

S315、使用金屬熱退火工藝進行熱退火。

5.如權利要求4所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述介質層的制備過程如下：

S321、在所述下電極的上表面通過PECVD工藝做SIN膜層；

S322、通過光刻刻蝕工藝對SIN膜層進行圖形化，去除位于所述下電極上方以外的多余SIN膜層；

S323、通過光刻涂膠技術對SIN膜層的表面做精度修整；

S324、去除多余的膠殘留。

6.如權利要求5所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S3中，所述上電極的制備過程如下：

S331、在所述介質層的上表面通過PVD工藝做第二金屬種籽層；

S332、通過帶膠電鍍工藝制備導電銅層，獲取上電極金屬膜層；

S333、對所述上電極金屬膜層進行CMP工藝處理；

S334、去除多余膠，使用金屬熱退火工藝進行熱退火。

7.如權利要求1所述的基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，其特征在于，所述步驟S5中，所述第一PI層的制備過程包括：

S511、通過涂膠工藝，在所述襯底上旋涂一層聚酰亞胺材料，并使聚酰亞胺材料覆蓋在所述電容和螺旋電感上；

S512、通過曝光顯影的方式形成第一PI層的第一金屬化孔；

S513、使用烘箱高溫烘烤并固化第一PI層。