[發明專利]一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法

在審

• 申請號: 202210789509.3
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115172255A
• 公開（公告）日: 2022-10-11
• 發明（設計）人: 胡孝偉;代文亮;袁琳;黃志遠;張競顥;崔云輝
• 申請（專利權）人: 上海芯波電子科技有限公司
• 主分類號: H01L21/70
• 分類號: H01L21/70;H01L49/02;H03H3/02
• 代理公司: 上海樂泓專利代理事務所(普通合伙) 31385
• 代理人: 蘇杰

本發明公開了一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，包括以下步驟：S1、制備襯底，并對其表面進行清洗；S2、在襯底上制備應力改善緩沖層；S3、在應力改善緩沖層上制備電容；S4、在應力改善緩沖層上制備螺旋電感；S5、制備第一PI層、第一金屬走線和第二PI層，第一PI層覆蓋在電容、螺旋電感和襯底上，第二PI層設置在第一PI層的上方，第一金屬走線位于第一PI層和第二PI層之間；S6、在第二PI層上制備連接凸點和第二金屬走線，形成IPD濾波器本體；S7、對IPD濾波器本體進行減薄和切割后進行封裝。本發明具有成本低，產品應力小，產品產能高等優點。

技術領域

本發明涉及半導體器件的加工制造技術領域，尤其涉及一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法。

背景技術

隨著科技時代的進步，現如今5G時代已經來臨，為了使手機和汽車信息傳輸等領域飛速發展適應5G新時代，就需要大功率的5G信號濾波器來做信號過濾，隨即SAW、BAW、IPD濾波器相繼被設計出來。其相應的有信號接收端、信號發射端，簡稱為Rx、Tx。

IPD濾波器(Integrated product development filter)集成無源濾波器，它相比SAW、BAW可以容納更大的帶寬，也就是信號接收的范圍更大，這是它最大的優勢。目前為止，硅基的IPD濾波器基本趨于成熟，玻璃基IPD濾波器還在開發階段，其優勢相比硅基成本低，但玻璃基相比硅基較脆，其成分是二氧化硅。所以產品在制作的過程當中，會出現因產品結構間的相互應力導致玻璃基翹曲，甚至等到切割晶圓時發生碎片的缺陷。

發明內容

基于此，有必要針對上述技術問題，提供一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法。

一種基于翹曲度及應力改善后的IPD濾波器制造方法，包括以下步驟：

S1、制備襯底，并對其表面進行清洗；

S2、在所述襯底上制備應力改善緩沖層；

S3、在所述應力改善緩沖層上制備電容，所述電容包括至下而上依次分布的下電極、介質層和上電極；

S4、在所述應力改善緩沖層上制備螺旋電感；

S5、制備第一PI層、第一金屬走線和第二PI層，所述第一PI層覆蓋在所述電容、螺旋電感和所述襯底上，所述第二PI層設置在所述第一PI層的上方，所述第一金屬走線位于所述第一PI層和第二PI層之間；

S6、在所述第二PI層上制備連接凸點和第二金屬走線，通過第一金屬走線和第二金屬走線使所述電容、螺旋電感與所述連接凸點相導通，形成IPD濾波器本體；

S7、對所述IPD濾波器本體進行減薄和切割后進行封裝。

在其中一個實施例中，所述步驟S1包括：

S11、制備二氧化硅玻璃襯底；

S12、用等離子體清洗所述襯底的表面。

在其中一個實施例中，所述步驟S2包括：

S21、通過采用teos源pecvd生長SiO₂膜層的工藝，在所述襯底的上表面覆蓋一層2000A以上的SiO₂膜層；

S22、通過化學拋光研磨工藝，對SiO₂膜層進行拋光，使其表面平坦化。

在其中一個實施例中，所述步驟S3中，所述下電極的制備過程如下：

S311、在所述SiO₂膜層的上表面通過PVD工藝做第一金屬種籽層；

S312、通過帶膠電鍍工藝做5～10um的銅制管腳；