[發明專利]一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池

在審

• 申請號: 202210783223.4
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115117202A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 曹兵;蔣秀林;尹海鵬
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王安娜;李召春

本發明公開了一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池。該制備方法包括：步驟一，對硅基體進行制絨形成絨面；步驟二，對硅基體的一個絨面進行濕法刻蝕，并在濕法刻蝕后的硅基體的表面制備圖案化掩膜層，其中，圖案化掩膜層覆蓋硅基體的多個第一區域，暴露硅基體的多個第二區域，所述第二區域與所述第一區域交替設置；步驟三，對第二區域重新進行制絨；步驟四，去除圖案化掩膜層，并在所述第一區域設置細柵。該制備方法通過對硅基體上對應于細柵的第一區域進行制絨并濕法刻蝕，可以得到相比于絨面接觸面積更小的濕刻面，降低了硅基體表面與細柵之間的復合速度，提升太陽能電池的開路電壓和光電轉換效率。

技術領域

本發明涉及太陽能電池技術領域，尤其涉及一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池。

背景技術

在現有的太陽能電池制造過程中，通常是在晶體硅表面進行制絨，使晶體硅表面由光滑變為金字塔結構(即絨面)，然后在絨面上制備含源掩膜層，通過激光掃描對含源掩膜層的特定區域進行開模后，即可以在特定區域的絨面上摻雜待擴散元素，同時在未開模區域(即絨面)上印制細柵。

在絨面印制細柵后會增大其與細柵的金屬發生復合，降低太陽能電池的開路電壓和太陽能電池的光電轉換率。

發明內容

有鑒于此，本發明實施例提供一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池，通過對硅基體上對應于細柵的第一區域進行制絨并濕法刻蝕，可以得到相比于絨面接觸面積更小的濕刻面，降低了硅基體表面與細柵之間的復合速度，同時，該濕刻面滿足限光的需求，以有效地提升太陽能電池的開路電壓和光電轉換效率。同時制備方法簡單，易于操作，制備成本低。

為了解決上述技術問題，本發明提供以下技術方案：

第一方面，本發明提供一種太陽能電池的制備方法，包括：步驟一，對硅基體進行制絨形成絨面；步驟二，對硅基體的一個所述絨面進行濕法刻蝕，并在濕法刻蝕后的硅基體的表面制備圖案化掩膜層，其中，所述圖案化掩膜層覆蓋硅基體的多個第一區域，暴露硅基體的多個第二區域，所述第二區域與所述第一區域交替設置；步驟三，對所述第二區域重新進行制絨；步驟四，去除所述圖案化掩膜層，并在所述第一區域設置細柵。

第二方面，本發明提供一種基于上述制備方法得到的太陽能電池，包括：硅基體1、設置于所述硅基體1一個表面上的第一區域2和設置在相鄰兩個第一區域2之間的第二區域3；其中，所述第一區域2通過濕法刻蝕得到，其設置有細柵；所述第二區域3的表面為金字塔結構。

上述發明的第一方面的技術方案具有如下優點或有益效果：通過對硅基體上對應于細柵的第一區域進行制絨并濕法刻蝕，可以得到相比于絨面接觸面積更小的濕刻面，降低了硅基體表面與細柵之間的復合速度。同時制備方法簡單，易于操作，制備成本低。

附圖說明

圖1是現有技術中的一種太陽能電池結構的剖面結構示意圖；

圖2是根據本發明的一個實施例的太陽能電池的制備方法的主要流程的示意圖；

圖3是根據本發明的一個實施例的制備圖案化掩膜層的主要流程的示意圖；

圖4是根據本發明的另一個實施例的制備圖案化掩膜層的主要流程的示意圖；

圖5是根據本發明的一個實施例的太陽能電池的剖面結構示意圖；

圖6是根據本發明的一個實施例的太陽能電池的俯視圖。

附圖標記如下：

1 硅基體；

2 第一區域

3 第二區域

具體實施方式