[發明專利]一種太陽能電池的制備方法和太陽能電池

在審

• 申請號: 202210783223.4
• 申請日: 2022-07-05
• 公開（公告）號: CN115117202A
• 公開（公告）日: 2022-09-27
• 發明（設計）人: 曹兵;蔣秀林;尹海鵬
• 申請（專利權）人: 晶澳（揚州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0236
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王安娜;李召春

1.一種太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括：

步驟一，對硅基體進行制絨形成絨面；

步驟二，對硅基體的一個所述絨面進行濕法刻蝕，并在濕法刻蝕后的硅基體的表面制備圖案化掩膜層，其中，所述圖案化掩膜層覆蓋硅基體的多個第一區域，暴露硅基體的多個第二區域，所述第二區域與所述第一區域交替設置；

步驟三，對所述第二區域重新進行制絨；

步驟四，去除所述圖案化掩膜層，并在所述第一區域設置細柵。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅基體包括相對的正表面和背表面，所述步驟二中對硅基體的一個所述絨面進行濕法刻蝕，包括：

對硅基體制絨后的位于正表面的絨面進行濕法刻蝕。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，

所述濕法刻蝕所選用的刻蝕溶液包括以下質量份數的各組分：

30～40份硝酸、30～40份氫氟酸以及30份去離子水；

和/或，

濕法刻蝕后的硅基體質量比濕法刻蝕前的硅基體質量減少0.3～0.4g。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在濕法刻蝕后的硅基體的表面制備圖案化掩膜層，包括：

在700℃～850℃下，對濕法刻蝕后的硅基體進行時長為15～25min的熱氧化，以制備厚度為10～20nm材料為氧化硅的掩膜層；

利用激光去除部分所述掩膜層，得到所述圖案化掩膜層；

或，

采用等離子體增強化學氣相沉積法在350℃～450℃溫度下，對濕法刻蝕后的硅基體進行沉積以制備厚度為60～80nm材料為氮化硅的掩膜層；

利用激光去除部分所述掩膜層，得到所述圖案化掩膜層。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述利用激光去除部分所述掩膜層，包括：

利用綠光或紫光在所述掩膜層與所述第二區域相對的部分進行劃線掃描，掃描速度為5～7m/s，脈沖寬度為35～400μm，掃描次數為110～150次，以去除部分所述掩膜層，使所述第二區域暴露。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟二之后，在所述步驟三之前，所述方法還包括：

將具備所述圖案化掩膜層的硅基體放入四甲基氫氧化銨液體或氫氧化鉀溶液或氫氧化鈉溶液中進行拋光，得到表面光滑的第二區域；其中，拋光溫度為80℃～90℃，拋光時間為10～15min。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述圖案化掩膜層，包括：

將經所述步驟三后的硅基體放入質量濃度為40％～45％的氫氟酸水溶液中浸泡，以去除所述圖案化掩膜層。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一區域的寬度對應于細柵的寬度，所述第二區域的寬度對應于相鄰細柵之間的間距。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除所述圖案化掩膜層之后，在所述第一區域設置細柵之前，所述方法還包括：在硅基體表面設置輕摻雜層，利用激光對所述第一區域進行掃描，以得到重摻雜的第一區域以及輕摻雜的第二區域；

和/或，所述對硅基體進行制絨形成絨面，包括：

將所述硅基體放入80℃～85℃的腐蝕溶液中浸泡20～25min，得到所述絨面；

其中，所述腐蝕溶液包括堿溶液和添加劑；所述堿溶液包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、硅酸鈉以及磷酸鈉中的至少一種；所述添加劑包括異丙醇、硫代硫酸銨以及水合肼中的至少一種。

10.一種基于權利要求1至9任一所述的制備方法得到的太陽能電池，其特征在于，包括：硅基體(1)、設置于所述硅基體(1)一個表面上的第一區域(2)和設置在相鄰兩個所述第一區域(2)之間的第二區域(3)；

其中，所述第一區域(2)通過濕法刻蝕得到，其設置有細柵；

所述第二區域(3)的表面為金字塔結構。