[發(fā)明專利]電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202210779816.3 | 申請日: | 2022-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN116053281A | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林宜宏;蔡秀怡;曾嘉平;何家齊 | 申請(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬姣琴;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學(xué)工*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電子 裝置 | ||
本揭露提供一種電子裝置,包括基板、驅(qū)動元件、導(dǎo)電層以及電子元件。驅(qū)動元件設(shè)置在基板上。導(dǎo)電層設(shè)置在基板上,其中驅(qū)動元件與導(dǎo)電層的邊緣之間具有第一距離(B)。電子元件設(shè)置在導(dǎo)電層上且電性連接驅(qū)動元件,其中電子元件與導(dǎo)電層的邊緣之間具有第二距離(A),且第一距離(B)大于第二距離(A)。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭露涉及一種電子裝置。
背景技術(shù)
為了使電子裝置中的電子元件可達(dá)到快速地散熱或減少電磁干擾等各種功能,一般會在電子裝置中形成具有大面積的導(dǎo)電層;然而,此導(dǎo)電層的設(shè)置將會增加電子元件的電容負(fù)載和/或信號線的阻抗值,或者會使電子裝置中的各構(gòu)件產(chǎn)生地形差異,使得信號線因此產(chǎn)生斷線或剝離的可能。因此,對于如何使此電子裝置降低上述問題的發(fā)生機(jī)會而提高可靠度為近年來大力發(fā)展的技術(shù)之一。
發(fā)明內(nèi)容
本揭露提供一種電子裝置,以解決現(xiàn)有電子裝置所遭遇的問題,進(jìn)而提高電子裝置的可靠度。
根據(jù)本揭露的實施例,電子裝置包括基板、驅(qū)動元件、導(dǎo)電層以及電子元件。驅(qū)動元件設(shè)置在基板上。導(dǎo)電層設(shè)置在基板上,其中驅(qū)動元件與導(dǎo)電層的邊緣之間具有第一距離(B)。電子元件設(shè)置在導(dǎo)電層上且電性連接驅(qū)動元件,其中電子元件與導(dǎo)電層的邊緣之間具有第二距離(A),且第一距離(B)大于第二距離(A)。
為讓本揭露的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
附圖說明
包含附圖以便進(jìn)一步理解本揭露,且附圖并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例,并與描述一起用于解釋本揭露的原理。
圖1為本揭露一實施例的電子裝置的俯視示意圖;
圖2A為依據(jù)圖1的區(qū)域R1的一實施例的放大示意圖;
圖2B為依據(jù)圖1的區(qū)域R1的另一實施例的放大示意圖;
圖2C為依據(jù)圖1的區(qū)域R1的又一實施例的放大示意圖;
圖3A為依據(jù)圖1的一實施例的放大示意圖;
圖3B為依據(jù)圖3A的剖線A1-A1’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖3C為依據(jù)圖3A的剖線B1-B1’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖3D為依據(jù)圖3A的剖線C1-C1’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖4A為依據(jù)圖1的另一實施例的放大示意圖;
圖4B為依據(jù)圖4A的剖線C2-C2’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖5A為本揭露一實施例的電子裝置的導(dǎo)電層之間的設(shè)置關(guān)系的局部俯視示意圖;
圖5B為依據(jù)圖5A的剖線D1-D1’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖5C為依據(jù)圖5A的剖線D2-D2’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖6為本揭露另一實施例的電子裝置的導(dǎo)電層之間的設(shè)置關(guān)系的局部俯視示意圖;
圖7A為本揭露又一實施例的電子裝置的導(dǎo)電層之間的設(shè)置關(guān)系的局部俯視示意圖;
圖7B為依據(jù)圖7A的剖線E1-E1’的一實施例的局部剖面示意圖;
圖7C為依據(jù)圖7A的剖線E2-E2’的一實施例的局部剖面示意圖。
具體實施方式
通過參考以下的詳細(xì)描述并同時結(jié)合附圖可以理解本揭露,須注意的是,為了使讀者能容易了解及附圖的簡潔,本揭露中的多張附圖只繪出電子裝置的一部分,且附圖中的特定元件并非依照實際比例繪圖。此外,圖中各元件的數(shù)量及尺寸僅作為示意,并非用來限制本揭露的范圍。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





