[發明專利]電子裝置在審
| 申請號: | 202210779816.3 | 申請日: | 2022-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN116053281A | 公開(公告)日: | 2023-05-02 |
| 發明(設計)人: | 林宜宏;蔡秀怡;曾嘉平;何家齊 | 申請(專利權)人: | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L25/16 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬姣琴;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電子 裝置 | ||
1.一種電子裝置,其特征在于,包括:
基板;
驅動元件,設置在所述基板上;
導電層,設置在所述基板上,其中所述驅動元件與所述導電層的邊緣之間具有第一距離(B);以及
電子元件,設置在所述導電層上且電性連接所述驅動元件,其中所述電子元件與所述導電層的所述邊緣之間具有第二距離(A),
其中,所述第一距離(B)大于所述第二距離(A)。
2.根據權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,包括多個所述電子元件,所述多個電子元件間隔設置在所述導電層上。
3.根據權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,所述第一距離(B)以及所述第二距離(A)滿足以下關系式:
B/(A+B)≥50%。
4.根據權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括第一導線,所述第一導線電性連接所述驅動元件以及所述電子元件,所述第一導線在所述導電層外具有第一寬度,所述第一導線在所述導電層的所述邊緣上具有第二寬度,且所述第一寬度小于所述第二寬度。
5.根據權利要求4所述的電子裝置,其特征在于,所述第一導線具有分支部,所述分支部自所述導電層外延伸至所述導電層上。
6.根據權利要求4所述的電子裝置,其特征在于,所述導電層的所述邊緣包括非直線部分,且所述第一導線位于所述非直線部分上。
7.根據權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括薄膜晶體管以及第二導線,所述薄膜晶體管設置在所述基板上且包括第一電極,所述第二導線通過第一通孔與所述第一電極電性連接,其中在所述基板的法線方向上,所述第二導線與所述導電層之間的距離大于所述第一電極與所述導電層之間的距離。
8.根據權利要求7所述的電子裝置,其特征在于,還包括第三導線,其中所述薄膜晶體管包括第二電極,所述第三導線通過第二通孔與所述第二電極電性連接,且在所述基板的法線方向上,所述第三導線與所述導電層之間的距離大于所述第二電極與所述導電層之間的距離。
9.根據權利要求8所述的電子裝置,其特征在于,其中所述第二導線與所述第三導線屬于不同層。
10.根據權利要求1所述的電子裝置,其特征在于,還包括:
第四導線,設置在所述基板上;以及
第五導線,與所述第四導線重疊,且通過通孔與所述第四導線電性連接,
其中所述第五導線與所述第四導線在相同方向上延伸。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





