[發明專利]一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法

在審

• 申請號: 202210775366.0
• 申請日: 2022-07-01
• 公開（公告）號: CN115148866A
• 公開（公告）日: 2022-10-04
• 發明（設計）人: 徐平;許孔祥;談健
• 申請（專利權）人: 湘能華磊光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36;H01L21/78;H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 長沙七源專利代理事務所(普通合伙) 43214
• 代理人: 張勇;鄒琦

本發明公開了一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，涉及LED芯片技術領域。該提升芯片可靠性的LED芯片制作方法包括以下步驟：提供芯片基層，在芯片基層上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，用于形成LED晶圓、半成品的制備、第一步的質檢工作、切割處理、LED芯片外延層的形成、單顆LED芯片的電極制作、第二步的質檢工作以及對質檢合格的LED芯片進行包裝入庫，不合格的LED芯片作廢處理。該提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，通過在制作過程中添加熏蒸液，能夠保證加工出的LED芯片整體的耐熱效果，其納米醋、醋酸銅水溶液能夠提升沉積SiON的硬度和耐熱效果，從而能夠保證LED芯片在使用過程中的耐熱效果，從而起到提升LED芯片可靠性的效果。

技術領域

本發明涉及LED芯片技術領域，具體為一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法。

背景技術

發光二極管是一種能發光的固態半導體電子元件，由于其發光效率高，顏色范圍廣，使用壽命長，廣泛應用于指示燈、顯示屏、照明等技術領域。傳統的LED制作方法中，首先通過金屬有機化合物化學氣相沉積工藝在襯底外延生長外延層，再經過蒸鍍、光刻形成外露的電極，隨后進行切割，以得到多個單顆LED芯片。

現有技術中，在對LED芯片制作的過程中，常出現LED芯片半成品存在的殘損區域，導致加工出的LED芯片無法正常運行的現象，導致后期相關的加工制作無效化，極大程度上降低了LED芯片制作的效率，此外，現有的LED芯片制作過程中未能對LED芯片進行加工，使得其板層耐熱效果差，一定程度上降低LED芯片的芯片可靠性；鑒于此，我們提出了一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法。

發明內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本發明提供了一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，解決了上述背景技術提到的問題。

(二)技術方案

為實現以上目的，本發明通過以下技術方案予以實現：一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，所述LED芯片制作方法包括以下步驟：

S1、提供芯片基層，在芯片基層上制作N型半導體層、發光層和P型半導體層，用于形成LED晶圓；

S2、半成品的制備，沉積CBL電子阻擋層、CBL電子阻擋層圖形化、蒸鍍ITO透明導電層、沉積SiON膜、熏蒸處理、用磷酸將SiON腐蝕圖形化、ITO圖形化后去膠、ICP光刻、ICP刻蝕露出N區、加熱處理、ICP蝕刻去膠、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉積SiO2保護層，制得半成品；

S3、第一步的質檢工作，對加工后的半成品進行質檢工作；

S4、切割處理，根據單顆LED芯片尺寸將襯底進行切割處理；

S5、LED芯片外延層的形成，在襯底上形成LED芯片外延層；

S6、單顆LED芯片的電極制作，形成多個單顆LED芯片的電極；

S7、第二步的質檢工作，對單顆LED芯片進行質檢工作；

S8、對質檢合格的LED芯片進行包裝入庫，不合格的LED芯片作廢處理。

可選的，S1形成LED晶圓的過程中，LED晶圓的加工環境溫度為70-90攝氏度，其無塵標準為0.1um濃度≤10，0.2um濃度≤2。

可選的，S2中熏蒸處理需對帶有蒸鍍ITO透明導電層的LED晶圓進行熏蒸加工，熏蒸液的溫度為115-130攝氏度。