[發(fā)明專利]一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210775366.0 | 申請(qǐng)日： | 2022-07-01 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115148866A | 公開（公告）日： | 2022-10-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐平;許孔祥;談健 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 湘能華磊光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L33/00 | 分類號(hào)： | H01L33/00;H01L33/14;H01L33/36;H01L21/78;H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 長(zhǎng)沙七源專利代理事務(wù)所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 張勇;鄒琦 |
| 地址： | 423038 湖*** | 國(guó)省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 提升 芯片 可靠性 led 制作方法 | ||
1.一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述LED芯片制作方法包括以下步驟：
S1、提供芯片基層，在芯片基層上制作N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，用于形成LED晶圓；
S2、半成品的制備，沉積CBL電子阻擋層、CBL電子阻擋層圖形化、蒸鍍ITO透明導(dǎo)電層、沉積SiON膜、熏蒸處理、用磷酸將SiON腐蝕圖形化、ITO圖形化后去膠、ICP光刻、ICP刻蝕露出N區(qū)、加熱處理、ICP蝕刻去膠、用磷酸去除SiON、ITO合金和沉積SiO2保護(hù)層，制得半成品；
S3、第一步的質(zhì)檢工作，對(duì)加工后的半成品進(jìn)行質(zhì)檢工作；
S4、切割處理，根據(jù)單顆LED芯片尺寸將襯底進(jìn)行切割處理；
S5、LED芯片外延層的形成，在襯底上形成LED芯片外延層；
S6、單顆LED芯片的電極制作，形成多個(gè)單顆LED芯片的電極；
S7、第二步的質(zhì)檢工作，對(duì)單顆LED芯片進(jìn)行質(zhì)檢工作；
S8、對(duì)質(zhì)檢合格的LED芯片進(jìn)行包裝入庫，不合格的LED芯片作廢處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S1形成LED晶圓的過程中，LED晶圓的加工環(huán)境溫度為70-90攝氏度，其無塵標(biāo)準(zhǔn)為0.1um濃度≤10，0.2um濃度≤2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S2中熏蒸處理需對(duì)帶有蒸鍍ITO透明導(dǎo)電層的LED晶圓進(jìn)行熏蒸加工，熏蒸液的溫度為115-130攝氏度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述熏蒸液由納米醋、分散劑以及蒸餾水組成，所述蒸餾水的質(zhì)量為熏蒸液總體質(zhì)量的92％-95％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S2中對(duì)帶有露出N區(qū)的LED晶圓進(jìn)行加熱處理，加熱溫度為90-95攝氏度，加熱方式為油浴加熱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S3中進(jìn)行第一步的質(zhì)檢工作，對(duì)S2中的半成品進(jìn)行外觀的檢測(cè)，檢測(cè)其外觀是否有殘損的部分，若無殘損存在進(jìn)行進(jìn)行下一步制作；若存在的殘損部分則對(duì)殘損部分的LED晶圓進(jìn)行絕緣處理，所述絕緣處理對(duì)LED晶圓殘損部位進(jìn)行綠油涂抹，后對(duì)綠油涂抹進(jìn)行紫光燈固化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：S3中進(jìn)一步包括，對(duì)綠油涂抹進(jìn)行紫光燈固化后，人工對(duì)紫光燈固化區(qū)域噴涂標(biāo)記噴漆。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S4中對(duì)襯底進(jìn)行切割處理，采用的切割方式為微應(yīng)力切割，并對(duì)帶有標(biāo)記噴漆區(qū)域的LED晶圓進(jìn)行分揀，將分揀出帶有標(biāo)記噴漆區(qū)域的LED晶圓進(jìn)行作廢處理。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S7中第二步的質(zhì)檢工作對(duì)單顆LED芯片進(jìn)行測(cè)試，并將不合格的LED芯片進(jìn)行分揀。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的一種提升芯片可靠性的LED芯片制作方法，其特征在于：所述S4中進(jìn)一步包括：微應(yīng)力切割后對(duì)LED晶圓的邊緣處進(jìn)行打磨作業(yè)，且打磨過程中對(duì)LED晶圓進(jìn)行覆蓋處理。
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