[發(fā)明專利]電感器和包括電感器的半導(dǎo)體封裝件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202210759488.0 | 申請(qǐng)日： | 2022-06-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN115732466A | 公開(kāi)（公告）日： | 2023-03-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 樸有慶;宋炫靜;崔銀景 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/522 | 分類號(hào)： | H01L23/522;H10B80/00 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 陳曉博;韓芳 |
| 地址： | 韓國(guó)京畿*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電感器 包括 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種電感器，所述電感器包括：
半導(dǎo)體基底，設(shè)置有包括第一布線層和第二布線層的多個(gè)布線層；
直導(dǎo)線，位于半導(dǎo)體基底的第一布線層處，具有第一端；
螺旋圖案的導(dǎo)電線圈，在第一布線層上方位于第二布線層處，具有第二端；以及
導(dǎo)電過(guò)孔，將直導(dǎo)線的第一端豎直連接到導(dǎo)電線圈的第二端，
其中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，多個(gè)虛設(shè)圖案布置在由螺旋圖案的最內(nèi)匝限定的第一區(qū)域中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，所述多個(gè)虛設(shè)圖案的面積與第一區(qū)域的面積的比率具有在40％與90％之間的值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，所述多個(gè)虛設(shè)圖案包括與直導(dǎo)線相同的材料，并且
其中，所述多個(gè)虛設(shè)圖案的厚度等于直導(dǎo)線的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，所述多個(gè)虛設(shè)圖案中的每個(gè)虛設(shè)圖案為電浮置并且被絕緣材料圍繞的島的形式。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電感器，
其中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，所述多個(gè)虛設(shè)圖案在面積上具有至少兩種不同的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，導(dǎo)電線圈的剖面是梯形形狀的，并且
其中，導(dǎo)電過(guò)孔的剖面是倒梯形形狀的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，導(dǎo)電線圈在第一水平方向上的長(zhǎng)度具有在45μm與55μm之間的值，并且導(dǎo)電線圈在與第一水平方向垂直的第二水平方向上的長(zhǎng)度具有在65μm與75μm之間的值，并且
其中，第一區(qū)域在第一水平方向上的長(zhǎng)度具有在15μm與20μm之間的值，并且第一區(qū)域在第二水平方向上的長(zhǎng)度具有在30μm與40μm之間的值。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，
其中，導(dǎo)電線圈不與所述多個(gè)虛設(shè)圖案豎直疊置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電感器，所述電感器還包括：
多層絕緣層，布置在直導(dǎo)線和所述多個(gè)虛設(shè)圖案上，
其中，導(dǎo)電過(guò)孔穿透多層絕緣層以將導(dǎo)電線圈的第二端連接到直導(dǎo)線的第一端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電感器，
其中，多層絕緣層包括：
下第一絕緣層，包括碳氮化硅；以及
上第二絕緣層，包括氮化硅。
11.一種半導(dǎo)體封裝件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：
封裝基底；
中介體，布置在封裝基底上；
第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片，布置在中介體上；
第一電感器，形成在第一半導(dǎo)體芯片中；以及
第二電感器，形成在中介體中，
其中，第一電感器和第二電感器中的每個(gè)包括：直導(dǎo)線，位于第一布線層處，具有第一端；方形螺旋圖案的導(dǎo)電線圈，位于與第一布線層豎直間隔開(kāi)的第二布線層處，具有第二端；以及導(dǎo)電過(guò)孔，將直導(dǎo)線的第一端豎直連接到導(dǎo)電線圈的第二端，并且
其中，當(dāng)在平面圖中觀看時(shí)，多個(gè)島狀虛設(shè)圖案布置在由方形螺旋圖案的最內(nèi)匝限定的第一區(qū)域中。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，
其中，中介體包括：
硅基底；
貫穿電極，穿過(guò)硅基底；以及
再分布結(jié)構(gòu)，電連接到位于硅基底上的貫穿電極，并且
其中，第二電感器形成在再分布結(jié)構(gòu)中。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件，
其中，第一半導(dǎo)體芯片包括邏輯芯片，邏輯芯片包括PCI Express接口，并且
其中，第二半導(dǎo)體芯片包括高帶寬存儲(chǔ)器芯片。
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